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J-GLOBAL ID：201902246972836000   整理番号：19A2876250

GaN HEMTの多機能デュアルゲートパッドを用いた超高速離散保護回路【JST・京大機械翻訳】

An Ultrafast Discrete Protection Circuit Utilizing Multi-Functional Dual-Gate Pads of GaN HEMTs

著者 (2件)： Hou Ruoyu (GaN Systems Inc.,,,Ottawa,,Canada) ,  Lu Juncheng (GaN Systems Inc.,,,Ottawa,,Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ECCE  ページ： 818-823  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム増強モード高電子移動度トランジスタ(GaN E-HEMT)は,それらの優れたスイッチング性能と良好な並列化能力のために,高出力応用に設計されている。しかし,高出力応用のための保護回路に関する多くの研究は行われていない。本論文では,GaN HEMTの多機能デュアルゲートパッドを用いた超高速離散保護回路を提案した。実装結果は,GaN HEMTのGaNPX~(R)デュアルゲートパッドが並列化に使用できるだけでなく,保護回路の目的にも使用できることを示した。提案した回路は,安定したラッチアップとミストリガを伴わない短絡保護(SCP)と過電流保護(OCP)の両方に対するGaNベースの応用に使用できる。本論文では,詳細な設計考察も示した。さらに,実験により,この余分な保護回路がGaN HEMTの自然スイッチング性能に影響しないことを検証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *ラッチアップ ,  HEMT ,  接続品質
準シソーラス用語： 過電流保護 ,  短絡保護 ,  高出力 ,  *保護回路 ,  超高速 ,  多機能 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  HEMT ,  多機能 ,  デュアルゲート ,  パッド ,  保護回路