酸化パラジウム貯留層によるコヒーレント電子源の作製

Asai Hirotaka; Kawai Ryota; Matsubara Fumiya; Murata Hidekazu; Rokuta Eiji; Oshima Chuhei

文献

J-GLOBAL ID：201902247147497698 整理番号：19A0098745

酸化パラジウム貯留層によるコヒーレント電子源の作製

Fabrication of Coherent Electron Sources with Palladium Oxide Reservoirs

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資料名：
巻： 16 ページ： 306-309(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： U0016A ISSN： 1348-0391 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

貴金属膜で被覆したタングステン(W)ナノピラミッドは高コヒーレント電子源として機能できる。本研究はパラジウム(Pd)原子の長距離表面拡散を用いてナノピラミッドを成長させることを目的とした。PdO粉末を含むコロジオン(ニトロセルロースとしても知られている)をWチップから遠い領域に被覆し,Pd原子の源として用いた。UHV中のWチップのアニーリングは,電界イオン顕微鏡(FIM)パターンの変化をもたらした。得られたFIM画像は,Wチップの{111}面に隣接する3つの等価{211}面を示した。しかし,提案した方法では,Wチップの頂点は単一原子ではなく,理想的なナノピラミッドの表面下に対応する広い三角形であった。(翻訳著者抄録)

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電子源,イオン源

引用文献 (15件)：

[1] E. Rokuta, T. Itagaki, T. Ishikawa, B. L. Cho, H. S. Kuo, T. T. Tsong, and C. Oshima, Appl. Surf. Sci. 252, 3686 (2006). http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.05.075
[2] E. Rokuta, T. Itagaki, T. Ishikawa, B.-L. Cho, H.-S. Kuo, T. T. Tsong, and C. Oshima, Surf. Sci. 602, 2508 (2008). https://doi.org/10.1016/j.susc.2008.05.038
[3] T.-Y. Fu, L.-C. Cheng, C.-H. Nien, and T. T. Tsong, Phys. Rev. B 64, 113401 (2001). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.113401
[4] H. S. Kuo, I. S. Hwang, T. Y. Fu, J. Y. Wu, C. C. Chang, and T. T. Tsong, Nano Lett. 4, 2379 (2004). https://doi.org/10.1021/nl048569b
[5] T. Ishikawa, K. Tagawa, T. Urata, C. Oshima, B. Cho, and E. Rokuta, e-J. Surf. Sci. Nanotech. 6, 11 (2008). https://doi.org/10.1380/ejssnt.2008.11

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