アリールジアゾニウムのin situグラフト化によるカーボンナノチューブ修飾インジウムすず酸化物の電気化学的性質の調整【JST・京大機械翻訳】

Hicks Jacqueline M.; Wong Zhi Yi; Scurr David J.; Silman Nigel; Jackson Simon K.; Mendes Paula M.; Aylott Jonathan W.; Rawson Frankie J.

文献

J-GLOBAL ID：201902247279779447 整理番号：19A1809139

アリールジアゾニウムのin situグラフト化によるカーボンナノチューブ修飾インジウムすず酸化物の電気化学的性質の調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring the Electrochemical Properties of Carbon Nanotube Modified Indium Tin Oxide via in Situ Grafting of Aryl Diazonium

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資料名：
巻： 33 号： 20 ページ： 4924-4933 発行年： 2017年
JST資料番号： A0231B ISSN： 0743-7463 CODEN： LANGD5 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ナノ修飾による表面の電子特性を調整する能力は,センシング,燃料電池および太陽技術の開発を含む種々の応用に対して最も重要である。さらに,導電性表面の合理的な設計を改善するために,ナノ改質の構造/関数関係の改善された理解とそれらが基礎となる電子特性に及ぼす影響が必要である。ここでは,単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)で機能化した酸化インジウムスズ(ITO)の電気化学的性質の調整と最適化について報告する。これは,SWCNTを共有結合するために使用されたナノスケール上へのアリールアミンジアゾニウム膜のその場グラフト化を制御することによって達成された。ITOの電子的性質に対するこれらのナノ修飾の構造/関数関係を,飛行時間二次イオン質量分析および電気化学的および物理的特性化技術により解明し,ジアゾニウムのin situグラフト化への新しい機構的洞察を導いた。結合はアリールアミン上の炭素に共有結合したニトロ基であることを見出した。これらの研究を通して得られた表面化学の理解の増加は,最適化された電子移動速度論を有する表面を作製することを可能にした。これらの研究から得られた知識は,様々な電子応用の開発に重要なITOベースの導電性表面の電子特性の合理的な設計と調整を可能にする。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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芳香族単環ヒドロキシルアミン及びヒドラジンその他の芳香族単環多窒素直結化合物 , 電気化学反応 , 芳香族単環ニトロ化合物・ニトロソ化合物 , 無機化合物一般及び元素 , 界面化学一般

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