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J-GLOBAL ID：201902247356407522   整理番号：19A1414635

加工されたピン止め中心における強誘電180°磁壁の動力学【JST・京大機械翻訳】

Dynamics of ferroelectric 180° domain walls at engineered pinning centers

著者 (3件)： McGilly Leo J. (Ceramics Laboratory, EPFL-Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  Feigl Ludwig (Ceramics Laboratory, EPFL-Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  Setter Nava (Ceramics Laboratory, EPFL-Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne CH-1015, Switzerland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 2  ページ： 022901-022901-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体における磁壁とピン止め中心間の相互作用は,基本的および実用的観点から非常に興味深い。本研究では,欠陥密度が増加すると,磁壁の見掛け速度が増加することを示した。しかし,磁壁の伝搬フロントを厳密に調べると,それは統一されないが,粗くなり,一次壁の前進における多重核形成ドメインの存在を示すことが分かった。したがって,核形成支援運動から実際に導出される欠陥密度による見かけの速度の増加を主張した。設計されたピン止め中心の効果をさらに調べるために,欠陥領域を空間的に閉じ込め,その方向に磁壁を伝搬させた。十分に高い欠陥密度を与えると,壁は閾値以下の電圧で無限にピン止めできることが分かった。最後に,壁が高欠陥密度領域により境界された低欠陥領域に閉じ込められる磁壁伝搬チャネルを生成する方法を概説した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  電圧 ,  *磁壁 ,  相互作用 ,  欠陥密度 ,  多重化 ,  強誘電体 ,  *ピン止め
準シソーラス用語： ドメイン構造 ,  ピン止め中心 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (3件)： ピン止め中心 ,  磁壁 ,  動力学