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J-GLOBAL ID：201902247492607040   整理番号：19A0511566

THzセンサ応用のための成長したままとイオン粉砕したMgB_2超薄膜【JST・京大機械翻訳】

As-Grown Versus Ion-Milled MgB₂ Ultrathin Films for THz Sensor Applications

著者 (6件)： Acharya Narendra (Physics Department, Temple University, Philadelphia, PA, USA) ,  Wolak Matthaus A. (Physics Department, Temple University, Philadelphia, PA, USA) ,  Melbourne Thomas (Physics Department, Temple University, Philadelphia, PA, USA) ,  Cunnane Daniel (Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Karasik Boris S. (Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Xi Xiaoxing (Physics Department, Temple University, Philadelphia, PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.2300304.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄膜における超伝導の探索は,ホット電子ボロメータ(HEB)や超伝導ナノワイヤ単一光子検出器(SNSPD)などのデバイス応用に対して,過去数十年に多くの注目を集めている。39Kの超伝導臨界温度(T_c)で,他の従来のBarden-Cooperer-Schrieffer(BCS)超伝導体のそれよりはるかに上にあり,そのより速い熱応答,超薄MgB_2膜は,HEBsとSSNPDにおける使用の有望な代替案を提示する。本論文では,ハイブリッド物理化学蒸着により成長させた超薄MgB_2膜に関する結果を示した。10nm以下の膜は,不完全な膜被覆による弱い粒結合性のために,直接達成するのが困難である。厚膜の10nm Arイオンミリングよりも低い高品質膜を得るために用いた。イオンミリングにより作製した超薄膜は,成長したままの膜よりも優れた品質を示した。膜の表面粗さは著しく改善され,バルク値からのT_cの抑制は,成長させたままの膜におけるよりも,粉砕された膜においてはるかに遅かった。5nmのミル処理膜の臨界電流密度は,4Kにおいて,10nmの成長したままの膜のそれと同じである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 厚膜 ,  ボロメータ ,  超伝導体 ,  ナノワイヤ ,  化学蒸着 ,  *イオン ,  *超薄膜 ,  イオンエッチング ,  臨界電流密度 ,  品質 ,  ホットエレクトロン ,  *センサ ,  被覆 ,  超伝導
準シソーラス用語： カリウム39 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  成長 ,  イオン ,  粉砕 ,  超薄膜