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J-GLOBAL ID：201902247726876637   整理番号：19A0661174

二次元MoSe_2-WSe_2横方向ヘテロ構造の成長と同時の谷レーション【JST・京大機械翻訳】

Growth and Simultaneous Valleys Manipulation of Two-Dimensional MoSe₂-WSe₂ Lateral Heterostructure

著者 (14件)： Ullah Farman (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan) ,  Sim Yumin (Department of Physics, Chung-Ang University, South Korea) ,  Le Chinh Tam (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan) ,  Seong Maeng-Je (Department of Physics, Chung-Ang University, South Korea) ,  Jang Joon I. (Department of Physics, Sogang University, South Korea) ,  Rhim Sonny H. (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan) ,  Tran Khac Bien Cuong (School of Mechanical Engineering, University of Ulsan) ,  Chung Koo-Hyun (School of Mechanical Engineering, University of Ulsan) ,  Park Kibog (Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST)) ,  Park Kibog (School of Electrical and Computer Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST)) ,  Lee Yangjin (Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST)) ,  Kim Kwanpyo (Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST)) ,  Jeong Hu Young (UNIST Central Research Facilities (UCRF), Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST)) ,  Kim Yong Soo (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 9  ページ： 8822-8829  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層遷移金属ジカルコゲニド(TMDC)の共有結合面内ヘテロ構造(HS)は,バレロnicsの観点から,高速電子デバイスに対して大きな可能性を有している。本研究では,高品質単層MoSe_2-WSe_2横方向HSsをパルスレーザ蒸着支援セレン化法により成長させた。横方向HSの鋭い界面を形態学的及び光学的特性化により検証した。興味深いことに,界面から得られた光ルミネセンススペクトルは,層内励起子物質に関連する中間エネルギーピークを持たない,あるいはMo_xW_(1-x)Se_2合金の形成による,純粋なMoSe_2とWSe_2の明瞭な特徴を示し,それにより,鋭い界面を確認した。さらに,横方向に付着したTMDC単分子層の離散的性質は,二重縮退であるが,MoSe_2に対しては(K_M,K′_M),k空間におけるWSe_2に対する(K_W,K′_W)は,界面上のクロストーク効果なしに励起領域内の四つの谷の同時制御を可能にする。例として,K_MとK_W谷またはK′_MとK′_W谷を,円偏光光ポンピングのヘリシティを制御することによって同時に偏光し,そこでは,最大偏光度をそれぞれのバンド端で達成した。本研究は横方向に鋭いHSsの成長機構を提供し,それらの潜在的な利用可能性を明らかにした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 合金 ,  偏光 ,  縮退 ,  *二次元 ,  界面 ,  ヘリシティ ,  光学的性質 ,  高速度 ,  モルフォロジー ,  励起子 ,  単分子層 ,  クロストーク ,  円偏光
準シソーラス用語： 逆格子空間 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  横方向ヘテロ構造 ,  Valleytronics ,  パルスレーザ蒸着 ,  MoSe_2-WSe_2

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 横方向 ,  ヘテロ構造 ,  成長 ,  谷