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J-GLOBAL ID：201902247830819582   整理番号：19A1902570

Cu/MOS_2NRS/PT MIM構造の白色光変調バイポーラ抵抗スイッチング特性【JST・京大機械翻訳】

White light-modulated bipolar resistive switching characteristics of Cu/MoS₂ NRs/Pt MIM structure

著者 (3件)： Sharma Shubham (Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India) ,  Kumar Anuj (Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India) ,  Kaur Davinder (Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 115  号： 5  ページ： 052108-052108-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,金属-絶縁体-金属スタック配置を作製することにより,MoS_2ナノロッド(NR)の白色光制御抵抗スイッチング機能を調べた。Cu/MoS_2NR/Pt/Siデバイスは暗い環境と光環境の両方で再現性のある二状態バイポーラ抵抗スイッチング特性を示した。暗条件では,NRデバイスの抵抗スイッチング挙動は,上部電極と底部電極間の金属経路形成/破壊に起因すると考えられる。一方,適用した白色光は,MoS_2NRを横切る硫黄空格子点における電子トラッピング/デトラッピングにより伝導経路形成/破壊を誘起することによりSETとRESET電圧の低下を引き起こす。暗および光照射条件下での伝導経路の形成は,概念モデルを提案し,抵抗対温度測定を解析することにより良く説明される。白色光は作製したNR素子の抵抗スイッチング挙動を変調する外部ツールとして作用することを観測した。印加光強度とSET電圧との相関も実証した。MoS_2デバイスのNR構造は,1500サイクルの良好な耐久性と,NRを通る直線的な伝導経路形成のために,光照射下で室温で10~3秒の長い保持時間を提供する。これらの結果は,光学的に活性なMoS_2NRベースのデバイスが,光センサや光電子スイッチなどの付加的な機能性を有する次世代の調整可能な不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリ応用の可能性を有することを実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  ナノロッド ,  光照射 ,  再現性 ,  *スイッチ ,  電圧 ,  硫黄 ,  絶縁体 ,  *白色光 ,  空格子点 ,  耐久性
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  トラッピング ,  *抵抗スイッチング ,  *バイポーラ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cu ,  Pt ,  MIM構造 ,  白色 ,  光変調 ,  バイポーラ ,  スイッチング特性