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J-GLOBAL ID：201902247937154937   整理番号：19A1809190

単分子層フラグメンテーション研究により可能になった遠隔単分子層ドーピングによる直接ドーパントパターニング【JST・京大機械翻訳】

Direct Dopant Patterning by a Remote Monolayer Doping Enabled by a Monolayer Fragmentation Study

著者 (2件)： Hazut Ori (Institute of Chemistry and the Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Israel) ,  Yerushalmi Roie (Institute of Chemistry and the Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Israel)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 33  号： 22  ページ： 5371-5377  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 伝統的で確立された技術を超えて拡張する新しいドーピング法の開発は,半導体(SC)処理法における急速な進歩と,3Dアーキテクチャのドーピングを含む多数の新しい応用におけるナノ構造合成に適合することが望まれている。これに取り組むために,単分子層ドーピング(MLD)と単層接触ドーピング法が最近導入された。MLD法は合成段階からナノ構造のドーピングプロセスの分離を可能にする;したがって,それはex situドーピングと呼ばれる。ここでは,遠隔MLD(R-MLD)と称する新しいex situ MLD法を提案した。非接触ドーピング法は,ドーパントを含む単分子層の熱フラグメンテーションと,ターゲットSC表面との物理的接触を行うことなく,近接に位置するキャップされていない単分子層ドーパント源のアニーリング中に起こる蒸発過程に基づいている。ドーパント単分子層フラグメンテーションと蒸発段階の研究と各段階で得られたドーピングレベルの定量化を可能にする二段階アニーリング法を示した。鋭いドーピングプロファイルを持つシリコン基板の大規模直接パターン形成を達成するためのR-MLDの応用を実証した。直接ドーパントパターン形成は,リソグラフィー処理ステップをターゲット基板に適用することなく得られる。非接触ドーピング過程,単分子層分解,およびフラグメント蒸発を,質量分析およびシート抵抗測定と組み合わせた熱重量分析を用いて研究した。ドープしたパターンを走査電子顕微鏡,走査型静電容量顕微鏡,および飛行時間二次イオン質量分析を用いて特性化した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単分子層 ,  高速度 ,  焼なまし ,  リソグラフィー ,  ナノ構造 ,  キャラクタリゼーション ,  半導体 ,  *ドーパント ,  蒸発 ,  パターン形成 ,  三次元 ,  *フラグメンテーション ,  静電容量 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 非接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  フラグメンテーション ,  研究 ,  ドーピング