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J-GLOBAL ID：201902248032739437   整理番号：19A1415074

メソスコピック規模での非対称全スピン論理素子における部分スピン吸収誘起磁化スイッチングとその電圧支援改善【JST・京大機械翻訳】

Partial spin absorption induced magnetization switching and its voltage-assisted improvement in an asymmetrical all spin logic device at the mesoscopic scale

著者 (13件)： Zhang Yue (Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Zhang Zhizhong (Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Wang Lezhi (Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Nan Jiang (Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Zheng Zhenyi (Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Li Xiang (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  Wong Kin (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  Wang Yu (Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Klein Jacques-Olivier (Centre for Nanoscience and Nanotechnology, University of Paris-Sud, University of Paris-Saclay, CNRS, Orsay 91405, France) ,  Khalili Amiri Pedram (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  Zhang Youguang (Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Wang Kang L. (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  Zhao Weisheng (Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing 100191, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 5  ページ： 052407-052407-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリとストレージを超えて,将来の論理応用は電子デバイスのためのより高い要求を提唱した。すべてのスピン論理素子(ASLDs)は,それらが電荷電流の代わりに純粋なスピン電流を利用するので,例外的な興味を引き出した。それは,超低電力消費を約束することができた。しかし,スピン注入,輸送,および検出の比較的低い効率は,高速磁化スイッチングとASLDの挑戦展望を実際に妨げている。本研究では,インゼクタと検出器がナノ加工互換性デバイスサイズ(>100nm)を持ち,それらの接触面積が異なるメゾスコピック規模での非対称ASLDにおける部分スピン吸収誘起磁化スイッチングを研究した。検出器の拡大接触面積は,スピン電流吸収の助けになり,インジェクタと検出器間の接触抵抗差は,スピン電流逆流を減少させることができた。厳密なスピン回路モデリングとマイクロ磁気シミュレーションを行い,電気的および磁気的特徴を解析した。結果は,作製方向の技術スケールでは,強磁性層は幾何学的に部分的なスピン電流吸収によってほとんどスイッチできないことを示した。電圧制御磁気異方性(VCMA)効果を検出器に適用し,強磁性層の磁気異方性を変調することにより磁化スイッチングを加速した。実験的に測定した比較的高いVCMA係数により,1.68Vの電圧が2.8ns以内の全磁化スイッチングを支援できた。この解析と改良アプローチは,将来の低電力,高速論理応用のために重要である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  磁気異方性 ,  検出器 ,  高速度 ,  磁気 ,  *電圧 ,  強磁性 ,  *非対称性 ,  ナノメータ加工 ,  記憶装置 ,  *スイッチ ,  電流 ,  電荷
準シソーラス用語： スピン電流 ,  *磁化スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： その他の接合  (BM03088W) ,  磁気異方性・磁気機械効果一般  (BM06101B) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 規模 ,  非対称 ,  スピン ,  論理素子 ,  誘起 ,  磁化スイッチング ,  支援