文献

J-GLOBAL ID：201902248089142680   整理番号：19A2925061

大気圧プラズマジェットを用いた窒化チタン膜で堆積したポリスチレンの調製と特性【JST・京大機械翻訳】

Preparation and Properties of Polystyrene Deposited with TiN Film Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

著者 (5件)： Kong Fei (Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Power Electronics and Electric Drive, Institute of Electrical Engineering,China) ,  Zhang Penghao (Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Power Electronics and Electric Drive, Institute of Electrical Engineering,China) ,  Ren Chengyang (Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Power Electronics and Electric Drive, Institute of Electrical Engineering,China) ,  Zhang Cheng (Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Power Electronics and Electric Drive, Institute of Electrical Engineering,China) ,  Shao Tao (Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Power Electronics and Electric Drive, Institute of Electrical Engineering,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICEPE-ST  ページ： 706-708  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧真空遮断器とGIS(ガス絶縁スイッチギヤ)に対して,誘電体/真空と誘電体/空気界面における表面フラッシュオーバは絶縁破壊をもたらし,それは高電圧電気装置の開発を制限する。誘電体上の表面電荷の動的性能は表面フラッシュオーバと密接に関連している。誘電体表面上の膜堆積は誘電体材料の表面絶縁性能を改善する有望な方法と見なされている。本論文では,大気圧プラズマジェット(APPJ)を用いた窒化チタン膜堆積法を提案した。窒化チタン膜によるプラズマ改質前後で,誘電体表面の電気的性質をそれぞれ議論した。窒化チタン膜を有する試料のDCフラッシュオーバ電圧は明らかに増加した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： GIS【スイッチ】 ,  真空遮断器 ,  フラッシュオーバ ,  *プラズマ ,  誘電体 ,  電気的性質 ,  表面電荷 ,  絶縁破壊 ,  *ポリスチレン ,  誘電材料 ,  界面 ,  電圧 ,  *窒化
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  *大気圧プラズマジェット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大気圧プラズマジェット ,  窒化 ,  チタン膜 ,  堆積 ,  ポリスチレン ,  調製