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J-GLOBAL ID:201902248124626107   整理番号:19A2183660

量子異常Hall効果を持つ二次元室温強磁性半導体【JST・京大機械翻訳】

Two-Dimensional Room-Temperature Ferromagnetic Semiconductors with Quantum Anomalous Hall Effect
著者 (7件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 024063  発行年: 2019年 
JST資料番号: W3691A  ISSN: 2331-7019  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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室温強磁性半導体を得て,室温量子異常Hall効果(QAHE)を実現することは,長い間大きな課題であった。ここでは,第一原理計算に基づいて,[数式:原文を参照],[数式:原文を参照],[数式:原文を参照],および[数式:原文を参照]単分子層が,高温QAHEを示すことができる強磁性半導体であることを報告する。モンテカルロシミュレーションで推定したCurie温度は,[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]単分子層でそれぞれ350と375Kであった。[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]のバンドギャップはそれぞれ58.7と28.1meVであり,一般化勾配近似とそれぞれ100.8と45meVであり,HSE06法は室温QAHEの観測に非常に良いことが分かった。大きなバンドギャップが多軌道電子相関から誘起されることを示した。4つの前述の単分子層の安定性を注意深く研究することにより,それらが実験に使用できることを明らかにした。本研究は,室温QAHEの応用により,室温強磁性半導体の使用によるスピントロニクスデバイスの開発と,散逸のないデバイスの実装に光を当てた。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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その他の無機化合物の磁性  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  磁性材料  ,  酸化物結晶の磁性  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (3件):
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