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J-GLOBAL ID：201902248237544689   整理番号：19A0510608

Pr_0.7Ca_0.3MnO_3ベースRRAMにおけるサブマイクロ秒電流過渡時の自己加熱【JST・京大機械翻訳】

Self-Heating During submicrosecond Current Transients in Pr_0.7Ca_0.3MnO₃-Based RRAM

著者 (5件)： Panwar N. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Khanna A. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Kumbhare P. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Chakraborty I. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Ganguly U. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 137-144  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィラメント状RRAMにおいて,セット/リセット(イオン輸送による)における自己加熱の役割は良く確立されている。しかし,非フィラメント状Pr_0.7Ca_0.3MnO_3(PCMO)RRAMにおいて,セット/リセット中の自己加熱は探求されていない。最近,dc IV特性における非線形性を説明する自己加熱を示した。パルス中の過渡電流を用いた自己加熱の観測を示した。冷却時間スケールは測定システム時間スケール(~30ns)により制限されることを示した。自己加熱に基づく実験電流過渡時間スケールはより長く(50~100ns),単純な指数関数的減衰によって記述されない。この挙動を説明するために,PCMO RRAMにおける自己加熱(Joule加熱と電流増加が正フィードバックを生成する)を技術計算機支援設計シミュレーションに実装した。シミュレーションは実験と非常に良く一致した。最終的に,セット/リセットの間の熱支援イオン輸送がモデルに含まれないとき,シミュレーションは実験から逸脱する。連続自己加熱を中断するために,パルス対単一パルスベースのセット/リセット実験の間の冷却時間を有するnパルス列を,同じピークバイアス時間で設計した。セット/リセット有効性はnの増加とともに低下し,一方,冷却時間の増加の影響は約30nsの冷却時間スケールを確認した。全体として,自己加熱は過渡電流の一貫した説明を与える。したがって,本論文は,自己加熱の考慮が,PCMOベースのRRAMモデリングと設計のために含まれなければならないことを確立した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 抵抗加熱 ,  非線形性 ,  パルス列 ,  フィラメント ,  CAD【計算機】 ,  パルス ,  有効性 ,  シミュレーション ,  *電流 ,  モデリング ,  フィードバック ,  モデル
準シソーラス用語： 過渡電流 ,  *自己加熱 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： RRAM ,  サブ ,  マイクロ秒 ,  自己加熱