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J-GLOBAL ID：201902248268942815   整理番号：19A1668984

照射後4H-SiC帯電粒子検出器の特性研究【JST・京大機械翻訳】

Study of the characteristics of an irradiated 4H-SiC charge particle detector

著者 (10件)： Han Chong (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室 長春 130022;中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点実験室 北京 100049;中国科学院高能物理研究所 核探測与核電子学国家重点実験室 北京 100049) ,  Cui Xingzhu (中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点実験室 北京 100049) ,  Liang Xiaohua (中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点実験室 北京 100049;中国科学院高能物理研究所 核探測与核電子学国家重点実験室 北京 100049) ,  Liang Hongwei (大連理工大学 微電子学院 大連 116024) ,  Xia Xiaochuan (大連理工大学 微電子学院 大連 116024) ,  Yang Cun (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室 長春 130022;中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点実験室 北京 100049;中国科学院高能物理研究所 核探測与核電子学国家重点実験室 北京 100049) ,  Ye Xin (大連理工大学 微電子学院 大連 116024) ,  Tang Jilong (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室 長春 130022) ,  Wang Dengkui (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室 長春 130022) ,  Wei Zhipeng (長春理工大学 高功率半導体激光国家重点実験室 長春 130022)
資料名： He Jishu  (He Jishu)
巻： 42  号： 5  ページ： 47-52  発行年： 2019年 
JST資料番号： C2034A  ISSN： 0253-3219  CODEN： NUTEDL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素材料は,その高いバンドギャップ,高い結晶原子離位エネルギーなどの物理的特性のため,高温耐性および耐放射線性デバイスを作製するための,広いバンドギャップ半導体材料と見なされている。照射が4H-SiCショットキーダイオード帯電粒子検出器の電気的特性及びα粒子応答のエネルギー分解能に与える影響を観察する。60Co源のγ線を用いて、4H-SiCショットキーダイオード検出器に対して照射実験を行った。全線量が1000kGyのγ線照射後、検出器の順方向電流は照射前より三桁減少し、逆電流値は0120Vのバイアス下で明らかな変化がなく、逆バイアスが120Vより高い時、逆電流値は明らかに変化した。同時に、照射前後にα粒子のエネルギー分解能に明らかな変化はなかった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バイアス ,  α粒子 ,  電流 ,  炭化ケイ素 ,  結晶 ,  エネルギー ,  *帯電 ,  γ線 ,  *検出器 ,  耐放射線性 ,  γ線照射 ,  バンドギャップ ,  エネルギー分解能 ,  Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： 逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 帯電 ,  粒子検出器 ,  研究