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J-GLOBAL ID：201902248692942272   整理番号：19A2760040

N空孔が存在するMnドープ及び(Mn,C)共ドープW-AlNの電子及び磁気特性【JST・京大機械翻訳】

Electronic and Magnetic Properties of Mn-doped and (Mn,C)-codoped w-AlN with the Presence of N Vacancy

著者 (4件)： Ahmoum Hassan (Physics of Materials and Systems Modeling Laboratory (PMSML), Unit Associated at CNRST-URAC: 08, Faculty of Sciences, Moulay Ismail University, Meknes, Morocco) ,  Boughrara Mourad (Physics of Materials and Systems Modeling Laboratory (PMSML), Unit Associated at CNRST-URAC: 08, Faculty of Sciences, Moulay Ismail University, Meknes, Morocco) ,  Su’ait Mohd Sukor (Solar Energy Research Institute (SERI), Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Kerouad Mohamed (Physics of Materials and Systems Modeling Laboratory (PMSML), Unit Associated at CNRST-URAC: 08, Faculty of Sciences, Moulay Ismail University, Meknes, Morocco)
資料名： Journal of Superconductivity and Novel Magnetism  (Journal of Superconductivity and Novel Magnetism)
巻： 32  号： 11  ページ： 3691-3697  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0180A  ISSN： 1557-1939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Mnドープ(6.25及び12.5%)及びMn-C共ドープウルツ鉱AlNの構造的,電子的及び磁気的性質を窒素空孔の存在により発見した。これらの特性を量子ESPRESSOパッケージに実装した密度汎関数理論を用いて調べた。AlNドープと共ドープをBroyden-Fletcher-Goldfarb-Shannon(BFGS)近似を用いて最適化した。電子的および磁気的性質は,全および部分状態密度によって決定される。不純物と窒素空格子点の存在は磁気的性質を誘起し,これらの材料は電磁およびスピントロニクス応用のための良好な候補であることを示している。結果は実験および他の理論研究と良く一致した。この研究から,この材料は希釈磁性半導体として使用できると結論した。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒素 ,  密度汎関数法 ,  *ドーピング ,  *磁気的性質 ,  不純物 ,  スピントロニクス ,  *窒化アルミニウム ,  *マンガン ,  最適化 ,  近似法 ,  電子構造
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  窒素空格子点 ,  部分状態密度 ,  ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第一原理研究 ,  Mn-C共ドープAlN ,  電子構造 ,  磁気的性質 ,  窒素空孔

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 空孔 ,  Mn ,  ドープ ,  AlN ,  電子 ,  磁気特性