MgAl2O4基板上のシュードモルフィックγ-Ga2O3-およびγ-Al2O3膜の特性評価とコヒーレントγ-Ga2O3/Al2O3ヘテロ接合界面でのバンドアライメント

OSHIMA Takayoshi; KATO Yuji; MAGOME Eisuke; KOBAYASHI Eiichi; TAKAHASHI Kazutoshi

文献

J-GLOBAL ID：201902248807885848 整理番号：19A1873289

MgAl₂O₄基板上のシュードモルフィックγ-Ga₂O₃-およびγ-Al₂O₃膜の特性評価とコヒーレントγ-Ga₂O₃/Al₂O₃ヘテロ接合界面でのバンドアライメント

Characterization of pseudomorphic γ-Ga₂O₃ and γ-Al₂O₃ films on MgAl₂O₄ substrates and the band-alignment at the coherent γ-Ga₂O₃/Al₂O₃ heterojunction interface

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資料名：
巻： 58 号： 6 ページ： 060910.1-060910.5 発行年： 2019年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

(100)MgAl₂O₄基板上に成長した3.0nm γ-Ga₂O₃,3.0nm γ-Al₂O₃,および1.0/3.0nm γ-Ga₂O₃/Al₂O₃膜を特徴付けした。X線回折測定により,γ-Ga₂O₃およびγ-Al₂O₃膜が基板に対してコヒーレントであり,ポアソン比が0.31および0.28であることが明らかにした。一方,X線光電子分光法により,γ-Ga₂O₃およびγ-Al₂O₃膜のバンドギャップはそれぞれ5.6および7.4eVであり,γ-Ga₂O₃/Al₂O₃ヘテロ接合は,それぞれ1.6および0.2eVの伝導帯および価電子帯のオフセットを持つタイプI型バンドアライメントを有していた。γ-(Al_xGa_1-x)₂O₃の末端メンバーに関するこれらの知見は,γ-(Al_xGa_1-x)₂O₃ベースヘテロ構造のさらなる研究に有益である。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜 , 表面の電子構造

引用文献 (34件)：

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