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J-GLOBAL ID：201902248951743013   整理番号：19A2275599

イオン液体ゲーティングはCo/Pt垂直磁気異方性膜の異常Hall抵抗率を制御する【JST・京大機械翻訳】

Ionic-liquid gating controls anomalous hall resistivity of Co/Pt perpendicular magnetic anisotropy films

著者 (11件)： Wang Yangping (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Wang Yangping (Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Liu Fufu (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Liu Fufu (Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Cao Cuimei (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Cao Cuimei (Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Zhou Cai (Hubei Province Engineering Research Center for Intelligent Micro-nano Medical Equipment and Key Technologies, School of Electrical and Electronics Engineering, No. 1 Sunshine Avenue, Jiangxia District, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Chai Guozhi (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Chai Guozhi (Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Jiang Changjun (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Jiang Changjun (Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 491  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の温度で低電圧により媒介された[Co(0.8nm)/Pt(0.6nm)]_3垂直磁気異方性ヘテロ構造のイオン液体ゲートにおける異常Hall抵抗率を調べた。室温でイオン液体に適用した-4Vの低ゲート電圧下で,13.02%の異常Hall抵抗率変化を達成した。異なる低電圧下での対応する温度での異常Hall抵抗率対縦抵抗率の曲線を適合させることにより,この系の異常Hall効果の起源を斜め散乱に帰着した。この結果はスピントロニクス素子における高感度低電圧誘起可逆磁気電気結合への応用の道を開く。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *垂直磁気異方性 ,  異常Hall効果 ,  散乱 ,  *白金 ,  *イオン液体 ,  磁気電気効果 ,  電圧発生 ,  *電気抵抗率
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  ゲート電圧 ,  ヘテロ構造 ,  低電圧 ,  *Hall抵抗 ,  *ゲーティング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 垂直磁気異方性 ,  Co/Pt多層膜 ,  異常Hall抵抗率 ,  低電圧

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン液体 ,  ゲーティング ,  CO ,  Pt ,  垂直磁気異方性 ,  Hall抵抗率