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J-GLOBAL ID:201902248958472124   整理番号:19A1415170

β-Ga_2O_3結晶中の中性MgアクセプタのElectron常磁性共鳴研究【JST・京大機械翻訳】

Electron paramagnetic resonance study of neutral Mg acceptors in β-Ga2O3 crystals
著者 (7件):
資料名:
巻: 111  号:ページ: 072102-072102-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Electron常磁性共鳴(EPR)を用いて,β-Ga_2O_3結晶中の中性Mgアクセプタ(Mg_Ga~0)を直接観察し,特性化した。これらのアクセプタは,Mgドープ結晶をX線で77Kまたは77K近傍で照射すると,小さいポーラロンとして最も良く考えられる。照射中に,正孔が単一イオン化Mgアクセプタ(Mg_Ga-)にトラップされたとき,中性アクセプタが形成された。意図的に存在しないFe3+(3d~5)とCr3+(3d~3)遷移金属イオンは対応する電子トラップとして働く。正孔は,6配位GaサイトのMgイオンに隣接する3配位酸素イオン上の非結合p軌道に局在している。これらのMg_Ga0アクセプタ(S=1/2)はわずかに異方性のgマトリックス(主値は2.0038,2.0153,および2.0371)を有する。正孔に隣接する二つのGaイオンとの不均一な相互作用から生じる,部分的に分解された~69Gaと71Ga超微細構造も存在する。方向に沿った磁場により,超微細パラメータは2つの非等価隣接Gaサイトにおける~69Ga核に対して2.61と1.18mTである。結晶の温度を約250K以上に上げると,Mg_Ga0アクセプタは熱的に非常磁性Mg_Ga電荷状態に戻る。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体の格子欠陥  ,  半導体のルミネセンス 

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