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J-GLOBAL ID：201902249723799279   整理番号：19A0513149

赤色および近赤外III窒化物量子ドットレーザ【JST・京大機械翻訳】

Red and Near-Infrared III-Nitride Quantum Dot Lasers

著者 (5件)： Frost Thomas (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Su Guan-Lin (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL, USA) ,  Hazari Arnab (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Dallesasse John M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL, USA) ,  Bhattacharya Pallab (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 6  ページ： ROMBUNNO.1901409.1-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNナノワイヤにおけるInGaN/GaN自己組織化量子ドットと類似ドットは歪緩和により形成され,これらのナノ構造からのルミネセンスは量子井戸により一般的に得られるよりも長い波長に広がる。エッジ発光ダイオードレーザの利得領域にこれらのナノ構造を組み込むことによりこの利点を利用した。ここでは,分子線エピタクシーにより(001)Si上に成長させたGaNと1.3μmドットインナノワイヤアレイレーザ上にエピタキシャル成長させた650nm自己組織化量子ドットレーザの特性を記述した。素子は,比較的低い閾値電流,優れた温度安定性(T_0>200K),および微分利得~10~16cm2によって特徴付けられる。ドットインナノワイヤレーザの最高測定小信号変調帯域幅は3.3GHzである。実験は自己組織化量子ドットとそれらで作られたレーザの理論的モデリングにより補完された。これらの新しいクラスのデバイスは,ディスプレイ,光データ蓄積,自動車のヘッドアップディスプレイ,プラスチックファイバ通信,およびシリコンフォトニクスなどの応用に新しい機会を開く。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *近赤外線 ,  通信 ,  *レーザ ,  波長 ,  自己組織化 ,  ナノワイヤ ,  *量子ドット ,  量子井戸 ,  *量子ドットレーザ ,  モデリング ,  利得 ,  MBE成長 ,  窒化ガリウム ,  ルミネセンス ,  発光

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 赤色 ,  近赤外 ,  窒化物 ,  量子ドットレーザ