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J-GLOBAL ID：201902249849470644   整理番号：19A2619234

六角形トレンチ構造を有する(111)縦型2DHGダイヤモンドMOSFET

著者 (8件)： 新倉直弥 (早稲田大 理工) ,  西村隼 (早稲田大 理工) ,  岩瀧雅幸 (早稲田大 理工) ,  大井信敬 (早稲田大 理工) ,  森下葵 (早稲田大 理工) ,  平岩篤 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-E312-1  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 縦型デバイスは、横型デバイスに比べ集積化に優れ、高耐圧化及び低オン抵抗化の両立が可能である。そのため縦型デバイスの開発はパワーエレクトロニクスの発展に必要不可欠である。我々はC-H終端構造及び高温ALD-Al2O3により誘起される2次元正孔...【本文一部表示】

シソーラス用語： 六角形 ,  *構造 ,  *ダイヤモンド ,  *MOSFET ,  *特性 ,  電流密度 ,  オン抵抗 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： *トレンチゲート構造 ,  縦型トランジスタ ,  *トランスファー特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 六角形 ,  トレンチ ,  縦型 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET