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J-GLOBAL ID：201902249879675564   整理番号：19A1379632

極薄In_0.53Ga_0.47As界面層を用いたp型GaAs_0.51Sb_0.49金属-酸化物-半導体界面特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of p-type GaAs_0.51Sb_0.49 metal-oxide-semiconductor interface properties by using ultrathin In_0.53Ga_0.47As interfacial layers

著者 (6件)： Gotow Takahiro (The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Mitsuhara Manabu (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Hoshi Takuya (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Sugiyama Hiroki (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takagi Shinichi (The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 125  号： 21  ページ： 214504-214504-9  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP基板上のAl_2O_3/GaAs_0.51Sb_0.49金属-酸化物-半導体(MOS)構造に及ぼす界面In_0.53Ga_0.47As層の影響を系統的に研究した。界面InGaAs層は,Al_2O_3/GaAsSb MOS界面のD_it値を3~4×10~11cm-2eV-1まで下げることができることが分かった。これは,InGaAs界面層のないMOS界面におけるよりもほぼ1桁低い。また,1.0~1.5nmのInGaAs厚さが,この低い値にD_を減少させるのに十分であることがわかった。これらの結果を得るために,蓄積領域におけるAl_2O_3/GaAs_0.51Sb_0.49/InP MOSキャパシタのC-V特性がInGaAs界面層に関係なく強い周波数分散を示すので,GaAsSb/InPヘテロ界面に関連する付加的寄生コンダクタンスと容量の影響を考慮する必要がある。二次元デバイスシミュレータを用いたC-V特性のシミュレーションにより,等価回路モデルを用いたこの直列抵抗と容量の補正が,実験的C-VからGaAsSb/InPヘテロ界面におけるポテンシャル障壁の影響を効果的に除去でき,界面トラップ密度(D_it)を抽出するための従来のコンダクタンス法を使用できることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  ポテンシャル障壁 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  コンダクタンス ,  *半導体 ,  二次元 ,  コンデンサ ,  *界面 ,  リン化インジウム ,  *酸化物
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  デバイスシミュレータ ,  ヘテロ界面 ,  ヒ化アンチモン化ガリウム ,  *界面層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 界面層 ,  酸化物 ,  界面特性