2.06μmにおける高効率Ho:KY(WO_4)_2薄ディスクレーザ【JST・京大機械翻訳】

Mateos Xavier; Loiko Pavel; Lamrini Samir; Scholle Karsten; Fuhrberg Peter; Suomalainen Soile; Haerkonen Antti; Guina Mircea; Vatnik Sergei; Vedin Ivan; Aguilo Magdalena; Diaz Francesc; Wang Yicheng; Griebner Uwe; Petrov Valentin

文献

J-GLOBAL ID：201902249988744989 整理番号：19A0906856

2.06μmにおける高効率Ho:KY(WO_4)_2薄ディスクレーザ【JST・京大機械翻訳】

Highly-efficient Ho:KY(WO₄)₂ thin-disk lasers at 2.06 μm

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資料名：
巻： 10713 ページ： 107130J-8 発行年： 2018年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ホルミウム単斜晶二重タングステン酸塩-ディスクレーザの開発における最近の進歩をレビューした。薄いディスクは,(010)配向したKY(WO_4)_2基板上に成長させた250μm厚の3at.%Ho:KY(WO_4)_2活性層に基づいている。単一バウポンプ構造を有する1960nmのTmファイバレーザによりポンプしたとき,連続波Ho:KY(WO_4)_2薄ディスクレーザは,傾斜効率η60%とレーザ閾値0.15Wに対応する2057nmで1.01Wの出力パワーを発生した。薄ディスクレーザはGaSbベースの量子井戸半導体可飽和吸収体ミラーで受動的にQスイッチされる。この領域では,η=44%で~2056nmで0.551Wの平均出力パワーを発生させた。最良のパルス特性は,135kHzの繰返し速度で4.1μJ/201nsである。このようなレーザのレーザ性能,ビーム品質および熱光学収差はHo3+ドーピング濃度に強く影響される。3at%Ho3+ドープ薄ディスクに対して,熱レンズは負(2つの主子午線面に対する感度因子は-1.7と-0.6m-1/W)と非点収差である。Ho:KY(WO_4)_2エピタキシャル構造は,~2060nmのモード同期薄ディスクレーザにおける活性元素として有望である。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体レーザ

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