予備集合した半導体ナノフィブリルに基づく高分子電界効果トランジスタにおける高,異方性,および基板に依存しない移動度【JST・京大機械翻訳】

Bonacchi Sara; Gobbi Marco; Ferlauto Laura; Stoeckel Marc-Antoine; Liscio Fabiola; Milita Silvia; Orgiu Emanuele; Samori Paolo

文献

J-GLOBAL ID：201902250013252057 整理番号：19A1408086

予備集合した半導体ナノフィブリルに基づく高分子電界効果トランジスタにおける高,異方性,および基板に依存しない移動度【JST・京大機械翻訳】

High, Anisotropic, and Substrate-Independent Mobility in Polymer Field-Effect Transistors Based on Preassembled Semiconducting Nanofibrils

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巻： 11 号： 2 ページ： 2000-2007 発行年： 2017年02月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電気活性高分子膜の結晶構造と形態にわたるナノスケール制御と,それらを任意の固体基板上に移動させる可能性を達成することは,高性能有機/高分子電界効果トランジスタ(FET)の作製のための重要な課題である。本研究では,水/空気界面で前集合した極薄活性層が,高分子FETにおいて,高い,異方性,および基板に依存しない移動度を有することを実証した。Langmuir-Schaeffer法への改良アプローチを利用することにより,制御された厚さ,ナノスケール構造,および形態を有するフィブリル構造における共役高分子を自己集合させた。これらの高度に秩序化されたナノフィブリルは任意の基板上に変化しない。これらの膜に基づくFETは,ナノフィブリルに沿って1cm~2V~-1s-1に近づく高い異方性正孔移動度を有し,Langmuir-Schaefer高分子FETに対する最先端技術を超えて1桁以上であることを示した。顕著に,FET性能は基板の化学的性質と誘電率に依存せず,高分子FETの分野における臨界限界を克服することを実証した。著者らの方法は,任意の誘電体基板上に支持された低コスト,高性能,透明で柔軟なデバイスのための超薄膜の作製を可能にする。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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トランジスタ

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