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J-GLOBAL ID:201902250038623305   整理番号:19A2184603

低キャリア濃度系における強磁性転移に対する新しい普遍性クラスと大きな負の磁気抵抗を示す使用【JST・京大機械翻訳】

Novel universality class for the ferromagnetic transition in the low carrier concentration systems UTeS and USeS exhibiting large negative magnetoresistance
著者 (4件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 064413  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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強磁性転移温度[数式:原文を参照]と23K付近で大きな負の磁気抵抗を示す低キャリア濃度系UTeSとUSeSにおける磁化の新しい臨界挙動を報告した。UTESとUSeSは,ウラン強磁性超伝導体URhGeとUCoGeのそれらと同じ斜方晶TiNiSi型結晶構造で結晶化する。磁化率χに対する自発磁化[数式:原文を参照]に対する臨界指数β,およびいくつかの方法による[数式:原文を参照]における磁化等温線に対するδを決定した。UTeSとUSeSの強磁性状態は強い一軸磁気異方性を持つ。しかし,二つの化合物における臨界指数は,短距離磁気交換相互作用をもつ三次元Ising模型とは異なる。ウラン強磁性超伝導体[数式:原文を参照]とURhGe,およびウラン金属間化合物強磁性体URhSi,UIr,および[数式:原文を参照]について,臨界指数の類似のセットを報告した。UTeSとUSeSにおける強磁性転移の普遍性クラスは,ウラン化合物に対して同じものに属する可能性がある。強磁性転移に関連した新しい臨界現象は,i歴のある[数式:原文を参照]電子をもつウラン金属間化合物強磁性体だけでなく,局在化[数式:原文を参照]電子をもつ低キャリア濃度系UTeSおよびUSeSにおいても観測された。UTeSとUSeSにおける大きな負の磁気抵抗と[数式:原文を参照]とURhGeにおける超伝導は,新しい臨界指数によって特徴付けられる強磁性に対するそれらの密接さの類似性を共有する。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
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金属系超伝導体の物性  ,  金属結晶の磁性  ,  超伝導体の物性一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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