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J-GLOBAL ID：201902250347432267   整理番号：19A1410015

GaドープZnOマイクロワイヤからの波長可変紫外エレクトロルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Wavelength-Tunable Ultraviolet Electroluminescence from Ga-Doped ZnO Microwires

著者 (12件)： Liu Yang (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Yang (University of the Chinese Academy of Sciences, China) ,  Jiang Mingming (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  He Gaohang (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  He Gaohang (University of the Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Shunfang (School of Physics and Engineering, Zhengzhou University, China) ,  Zhang Zhenzhong (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Binghui (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhao Haifeng (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shan Chongxin (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shan Chongxin (School of Physics and Engineering, Zhengzhou University, China) ,  Shen Dezhen (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 46  ページ： 40743-40751  発行年： 2017年11月22日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッドヘテロ接合発光ダイオードを作製するための活性層としてのZnOの使用は,紫外線光源のための効果的な方法であると期待される。制御されたガリウム(Ga)取り込み(ZnO/GaMWs)を有する個々のZnOマイクロワイヤを化学蒸着法により作製した。Gaを取り込んだ濃度の増加とともに,ZnO MWsの近バンド端(NBE)光ルミネセンスは390から370nmに徐々にシフトすることが分かった。単一ZnO/Ga MWsとp-GaNから成るヘテロ接合ダイオードを作製した。注入電流の増加とともに,界面発光は効果的に抑制され,典型的なNBE放出はエレクトロルミネセンス(EL)を支配する。特に,Gaドーピング濃度の増加により,ZnO/Ga MWベースのヘテロ接合ダイオードの主要なEL発光波長は384から372nmに青方偏移し,青方偏移はGa取り込みにより誘起されたBurstein-Moss効果に起因した。本研究は,ZnO MWの光学バンドギャップ工学の実現可能性と波長同調紫外線光源への応用可能性を実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  窒化ガリウム ,  *酸化亜鉛 ,  青方偏移 ,  発光 ,  ヘテロ接合 ,  同調 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *ガリウム ,  *波長 ,  *ドーピング ,  光ルミネセンス ,  界面 ,  ダイオード
準シソーラス用語： *紫外 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヘテロ接合ダイオード ,  ZnO/Ga ,  マイクロワイヤ ,  エレクトロルミネセンス ,  Burstein-Moss効果

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  マイクロワイヤ ,  波長可変 ,  エレクトロルミネセンス