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J-GLOBAL ID:201902250421786057   整理番号:19A2339230

集積量子フォトニクスのためのシリコン導波路単一光子アバランシェ検出器のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Simulation of Silicon Waveguide Single-Photon Avalanche Detectors for Integrated Quantum Photonics
著者 (5件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: ROMBUNNO.6300108.1-8  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0734A  ISSN: 1077-260X  CODEN: IJSQEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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統合された量子フォトニクスは,スケーラブルな量子ネットワーク方式に向けての道路上でのキーとなる技術として認識されている。しかし,多くの最先端集積量子フォトニクス実証は,光の外部光検出器への結合をまだ必要としている。オンチップシリコン単一光子アバランシェダイオード(SPAD)は,フォトニック部品とシームレスに集積でき,熱電冷却で達成可能な温度で高効率と低暗計数で動作するので,実行可能な解決策を提供する。本論文では,異なるドーピング配置(p-n+とp-i-n+)を有する二つのデバイスファミリーに焦点を合わせて,可視波長用のシリコン-オン-インシュレータプラットフォーム上のシリコン導波路ベースSPADの設計とシミュレーションを報告した。2次元モンテカルロ法を用いてアバランシェ過程をシミュレーションし,243Kと300Kでの暗計数率(DCR)をシミュレートすることにより,640nmの入力波長における光子検出効率(PDE)とタイミングジッタを計算した。シミュレーションしたパラメータに対して,最適なp-i-n+SPADは最良の素子性能を示し,飽和PDEは,31.5Vの逆バイアス電圧で52.4±0.6%の飽和PDE,10psの半値全幅(FWHM)タイミングジッタ,および243Kで2秒当たり<5カウントのDCRを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光集積回路,集積光学 

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