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J-GLOBAL ID：201902250446935938   整理番号：19A2900147

9~300Kの温度範囲におけるSiO_2とSiO_2/Ga_2O_3絶縁体によるペンタセン金属-絶縁体-半導体キャパシタのアドミタンス特性評価【JST・京大機械翻訳】

Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO₂ and SiO₂/Ga₂O₃ insulators in temperature range of 9-300 K

著者 (9件)： Voitsekhovskii Alexander V. (National Research Tomsk State University, 36 Lenin Ave., Tomsk 634050, Russia) ,  Voitsekhovskii Alexander V. (Siberian Physical-Technical Institute TSU, 1 Novosobornaya Sq., Tomsk 634050, Russia) ,  Nesmelov Sergey N. (National Research Tomsk State University, 36 Lenin Ave., Tomsk 634050, Russia) ,  Novikov Vadim A. (National Research Tomsk State University, 36 Lenin Ave., Tomsk 634050, Russia) ,  Dzyadukh Stanislav M. (National Research Tomsk State University, 36 Lenin Ave., Tomsk 634050, Russia) ,  Kopylova Tatyana N. (Siberian Physical-Technical Institute TSU, 1 Novosobornaya Sq., Tomsk 634050, Russia) ,  Ivonin Ivan V. (National Research Tomsk State University, 36 Lenin Ave., Tomsk 634050, Russia) ,  Degtyarenko Konstantin M. (Siberian Physical-Technical Institute TSU, 1 Novosobornaya Sq., Tomsk 634050, Russia) ,  Tereshchenko Evgeny V. (National Research Tomsk State University, 36 Lenin Ave., Tomsk 634050, Russia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 692  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2とSiO_2/Ga_2O_3絶縁体を有するペンタセンベースの金属-絶縁体-半導体コンデンサを9~300Kの温度範囲で研究した。絶縁体としてSiO_2を用いたとき,作製したコンデンサの容量-電圧曲線は実質的にヒステリシスを持たなかった。Mott-Schottky分析を用いて決定した正孔濃度値は,用いた基板に依存して(1.0~1.3)×10~18cm~3の範囲であった。正孔濃度は広範囲の周波数と温度にわたって一定のままであることを示した。基板(SiO_2とSiO_2/Ga_2O_3)のタイプがペンタセンMISキャパシタの電気特性に著しく影響することを示した。SiO_2基板上に成長させたペンタセン膜は約3meVの活性化エネルギーをもつ浅い準位をもつことが分かった。SiO_2/Ga_2O_3基板を用いた場合,活性化エネルギー(5.5~6.0)と(480~570)meVのトラップ準位を明らかにした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 静電容量 ,  浅い準位 ,  電気特性 ,  ヒステリシス ,  *コンデンサ ,  *半導体 ,  *絶縁体 ,  有機半導体 ,  電圧 ,  キャラクタリゼーション ,  活性化エネルギー ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 正孔濃度 ,  *アドミタンス ,  *温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機半導体 ,  金属-絶縁体-半導体キャパシタ ,  アドミタンス ,  ペンタセン ,  静電容量-電圧特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 温度範囲 ,  絶縁体 ,  ペンタセン ,  キャパシタ ,  アドミタンス ,  特性評価