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J-GLOBAL ID:201902250516720278   整理番号:19A1778556

高Tc超伝導体のためのモデル化合物HgBa_2CuO_4+δの結晶成長とドーピング制御【JST・京大機械翻訳】

Crystal growth and doping control of HgBa2CuO4+δ, the model compound for high-Tc superconductors
著者 (11件):
資料名:
巻: 118  ページ: Null  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0954A  ISSN: 0025-5408  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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超伝導HgBa_2CuO_4+δ水銀銅の非常に高品質の単結晶を成長させる自己フラックス法を報告した。単結晶は,高い光学的品質と良好な結晶学的性質の表面を有する板状である。アニーリングは,T_C~max=94KまでのT_Cの最適化を可能にした。適切な処理により,結晶試料のドーピングレベルは,広いアンダーおよび過剰ドープ範囲で微細に制御できた。単結晶X線回折データからの予備的な構造キャラクタリゼーションを異なるドーピングレベルに対して与えた。純粋および金置換結晶の両方に対するアンダーおよび過剰ドーピングの特徴を,顕微Raman分光測定から同定した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  酸化物の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
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