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J-GLOBAL ID：201902250547104671   整理番号：19A2856266

ハイブリッド汎関数計算によるMOS_2/SnO_2ヘテロ二分子層のバンド構造と光学特性【JST・京大機械翻訳】

Band structure and optical properties of MoS₂/SnO₂ hetero-bilayer from hybrid functional calculations

著者 (4件)： Sun Lili (Department of Applied Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin, 300072, People’s Republic of China) ,  Liu Yanyu (Department of Applied Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin, 300072, People’s Republic of China) ,  Wu Ping (Department of Applied Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin, 300072, People’s Republic of China) ,  Zhou Wei (Department of Applied Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin, 300072, People’s Republic of China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 239  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2/SnO_2ヘテロ二分子層の電子構造と光学特性をハイブリッド汎関数計算により系統的に調べた。VBMにおける単層MoS_2のバンド分散特性とCBMにおける単層SnO_2のそれはMoS_2/SnO_2ヘテロ二分子層によく保存され,したがって電子と正孔の効果的分離が期待される。さらに,MoS_2/SnO_2ヘテロ二分子層におけるバンドギャップ狭まりは,それに応じて,太陽スペクトル,特に可視光領域における有効利用を強化することができた。加えて,水の光酸化と光還元の両方に活性なMoS_2/SnO_2ヘテロ二分子層は,単層MoS_2とSnO_2のものより優れた光触媒活性を有する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光酸化 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  *バンド構造 ,  光還元 ,  単一層 ,  スペクトル ,  太陽 ,  *光学的性質 ,  正孔 ,  *二分子層
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  可視領域 ,  バンド分散 ,  *ハイブリッド汎関数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ハイブリッド汎関数計算 ,  MOS_2/SnO_2ヘテロ二重層 ,  電子構造 ,  光学的性質

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ハイブリッド汎関数 ,  計算 ,  テロ ,  二分子層 ,  バンド構造 ,  光学特性