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J-GLOBAL ID：201902250586417975   整理番号：19A2441771

周波数安定共振器のためのCMOS集積MEMSプラットフォーム II 設計と解析【JST・京大機械翻訳】

A CMOS-Integrated MEMS Platform for Frequency Stable Resonators-Part II: Design and Analysis

著者 (4件)： Chen Chao-Yu (Institute of NanoEngineering and MicroSystems, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Ming-Huang (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Cheng-Syun (Richtek Technology, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Sheng-Shian (Institute of NanoEngineering and MicroSystems, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 28  号： 5  ページ： 755-765  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文のパートIIは,信頼できる窒化チタン-複合材料(窒化チタン-C)プラットフォームによって製作されたCMOS-MEMS共振変換器の数値モデルと実験的検証を提示した。提案した共振器の周波数挙動を特性化するために,平均変位に基づく解析モデルを用いて,提案した素子の等価集中パラメータを決定した。パートIで詳述された自由梁(FFB)設計を考慮して,酸化物フィンは非常に強い境界制限を提供し,それは2つの付加的先端片持梁と結合した短いクランプ固定梁(CCB)のような振動を強制する。このセグメント化解析モデルは測定結果と良く一致した。さらに,窒化チタン-to-窒化チタン変換ギャップと酸化物リッチ複合構造の実装は,誘電体充電の緩和により,時間とともに低周波ドリフトを達成しながら,深いサブミクロン(<400nm)ギャップ容量共振器と制御可能な温度依存応答を可能にした。CMOS-MEMS共振器の構成材料は商業的鋳造サービスによってまだ制限されているが,Young率(TC_E)の温度係数,熱膨張係数(CTE)および標準BEOLの残留応力を考慮することにより,周波数の低温係数(TC_f)を達成できる。結果として,提案した窒化チタン-C擬似自由ビーム(PFFb)共振器は,CMOS-MEMS技術において,0.6ppm/Kの最低受動補償TC_fを示し,将来の実用化のための温度と時間にわたる優れた周波数安定性を明らかにした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 解析モデル ,  *共振 ,  誘電体 ,  ドリフト ,  片持梁 ,  複合材料 ,  *MEMS ,  キャラクタリゼーション ,  温度依存性 ,  複合構造 ,  充電 ,  *共振器 ,  酸化物 ,  *周波数安定度
準シソーラス用語： 窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 周波数安定 ,  共振器 ,  CMOS ,  集積 ,  MEMS ,  プラットフォーム ,  設計 ,  解析