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J-GLOBAL ID：201902250832730463   整理番号：19A1607226

低温におけるSOI横型IGBTのチャネルオフアバランシェ不安定性:機構と最適化スキーム【JST・京大機械翻訳】

Channel-off Avalanche Instability in SOI Lateral IGBT at Low Temperature: Mechanism and Optimization Schemes

著者 (11件)： Ma Jie (National ASIC System Engineering Research Center, School of Electronic Science & Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhang Long (National ASIC System Engineering Research Center, School of Electronic Science & Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhu Jing (National ASIC System Engineering Research Center, School of Electronic Science & Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Cao Shilin (National ASIC System Engineering Research Center, School of Electronic Science & Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Li Ankang (National ASIC System Engineering Research Center, School of Electronic Science & Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zou Yanqin (National ASIC System Engineering Research Center, School of Electronic Science & Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, School of Electronic Science & Engineering, Southeast University, Nanjing, China) ,  Gu Yan (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Zhang Sen (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Zhang Yunwu (Wuxi i-driver Electronics Co., Ltd., Wuxi, China) ,  Yang Zhuo (Wuxi NCE POWER Co., Ltd., Wuxi, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ISPSD  ページ： 387-390  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,オフ状態アバランシェ安定性を調べ,SOI横方向IGBTにおいて-40°Cで時間依存アバランシェ不安定性を観測した。TCADシミュレーションからの結果と測定結果を組み合わせて,雪崩不安定性のメカニズムを明らかにした。不安定雪崩現象を抑制または除去するために,2つの最適化方式を提案した。不安定アバランシェは,厚い埋め込み酸化物層を採用することにより抑制でき,V_CEシフトは54Vから11Vに低減できる。もう一つの方式は,P型基板をN型基板に置き換えることであり,次に,V_CEシフトを完全に除去することができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時間依存性 ,  *不安定性 ,  *低温 ,  *IGBT ,  シミュレーション ,  酸化層 ,  *最適化
準シソーラス用語： TCAD ,  オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  SOI ,  横型 ,  IGBT ,  不安定性 ,  最適化 ,  スキーム