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J-GLOBAL ID：201902250918220977   整理番号：19A0524541

非絶縁ゲートWBGデバイスのためのアクティブゲート電流制御【JST・京大機械翻訳】

Active gate current control for non-insulating-gate WBG devices

著者 (5件)： Li He (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Abdullah Yousef M. (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Yao Chengcheng (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Wang Xiaodan (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Wang Jin (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 1947-1954  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,非絶縁ゲートWBGデバイス,例えば窒化ガリウムゲート注入トランジスタ(GaN-GIT)および炭化ケイ素超接合トランジスタ(SiC-SJT)に対するアクティブゲート電流制御(AGCC)戦略を提案した。それは,コンバータ効率をさらに向上させて,それらのより高いコストパワートランジスタの寿命を延長するために,電力コンバータ設計者のためのツールを提供する。デバイスゲート電流を連続的に調整することにより,提案したAGCC戦略は,低い半導体損失,低い熱ストレス,低いEMIスペクトル,または全範囲にわたる小さな電圧オーバーシュートを含む動作目標を達成するために,デバイススイッチング速度,スイッチング損失,伝導損失およびゲート損失を制御することができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力変換器 ,  窒化ガリウム ,  オーバシュート ,  暑熱ストレス ,  電力トランジスタ ,  変換器 ,  炭化ケイ素 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  スペクトル ,  スイッチング損失 ,  電圧 ,  接合形トランジスタ
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  *ゲート電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁 ,  ゲート ,  電流制御