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J-GLOBAL ID：201902251028797539   整理番号：19A1375662

3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立

著者 (7件)： 海野高天 (名古屋大) ,  ZHU Can (名古屋大) ,  原田俊太 (名古屋大) ,  小泉晴比古 (名古屋大) ,  田川美穂 (名古屋大) ,  宇治原徹 (名古屋大) ,  宇治原徹 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-70A-2  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】高品質な4H-SiC単結晶を成長させる手法として、溶液法が期待されている。溶液成長では、成長表面のマクロステップの進展により貫通転位が基底面の欠陥に変換するため、その後の厚膜成長により基底面の欠陥を外部に排出し高品質化を行うこと...【本文一部表示】

シソーラス用語： *種結晶 ,  角度 ,  *炭化ケイ素 ,  溶液成長 ,  *貫通転位 ,  *X線トポグラフィー ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  溶媒 ,  ケイ素 ,  チタン ,  ドーピング ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： オフ角 ,  *4H-SiC ,  表面モルフォロジー

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： インチ ,  種結晶 ,  SiC ,  溶液成長 ,  貫通転位 ,  インク ,  ルー