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J-GLOBAL ID：201902251112485608   整理番号：19A1381356

a軸配向YBCO薄膜におけるa軸に沿った柱状欠陥による磁束ピン止め【JST・京大機械翻訳】

Flux Pinning by Columnar Defects Along a-axis in a-axis Oriented YBCO Thin Films

著者 (8件)： Sueyoshi Tetsuro (Faculty of Engineering, Kumamoto University, Kumamoto, Japan) ,  Iwanaga Yasuya (Faculty of Engineering, Kumamoto University, Kumamoto, Japan) ,  Fujiyoshi Takanori (Faculty of Engineering, Kumamoto University, Kumamoto, Japan) ,  Takai Yosuke (Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Muta Mitsuhiro (Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Mukaida Masashi (Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Ichinose Ataru (Central Research Institute for Electric Power Industry, Kanagawa, Japan) ,  Ishikawa Norito (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Ibaraki, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 29  号： 5  ページ： ROMBUNNO.8003204.1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a軸に沿った柱状欠陥(CD)を,重イオン照射を用いて面内整列a軸配向YBa_2Cu_3O_y膜に設置し,B||ab周辺の磁束ピン止め特性に及ぼすCDの影響を明らかにした。CDがその長さに沿ってフラックスクリープのチャネルとして作用するので,B||cにおける臨界電流密度J_cは照射後に著しく減少する。一方,B||abにおけるJ_cの磁場依存性は,CDの導入によって弱められる。これは,CDがB||abで磁束線をトラップできるが,有効なab相関PCとして働く自然成長欠陥が存在することを意味する。a軸に沿ったCDのトラッピング角は,c軸に沿ったCDと比較して非常に狭く(~5.8°),他のab相関PCとほぼ一致した。a軸に沿ったCDの小さなトラッピング角は,B||ab周辺の楕円コアをもつ磁束線の強い線張力エネルギーに起因する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 重イオン照射 ,  チャネル ,  エネルギー ,  *磁束 ,  *YBCO薄膜 ,  アラインメント ,  *磁束ピン止め ,  臨界電流密度 ,  クリープ ,  線張力 ,  磁場依存性 ,  *柱状欠陥 ,  トラッピング処理 ,  機械的性質
準シソーラス用語： トラッピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 配向 ,  YBCO薄膜 ,  柱状欠陥 ,  磁束ピン止め