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文献
J-GLOBAL ID:201902251112485608   整理番号:19A1381356

a軸配向YBCO薄膜におけるa軸に沿った柱状欠陥による磁束ピン止め【JST・京大機械翻訳】

Flux Pinning by Columnar Defects Along a-axis in a-axis Oriented YBCO Thin Films
著者 (8件):
資料名:
巻: 29  号:ページ: ROMBUNNO.8003204.1-4  発行年: 2019年 
JST資料番号: W0177A  ISSN: 1051-8223  CODEN: ITASE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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a軸に沿った柱状欠陥(CD)を,重イオン照射を用いて面内整列a軸配向YBa_2Cu_3O_y膜に設置し,B||ab周辺の磁束ピン止め特性に及ぼすCDの影響を明らかにした。CDがその長さに沿ってフラックスクリープのチャネルとして作用するので,B||cにおける臨界電流密度J_cは照射後に著しく減少する。一方,B||abにおけるJ_cの磁場依存性は,CDの導入によって弱められる。これは,CDがB||abで磁束線をトラップできるが,有効なab相関PCとして働く自然成長欠陥が存在することを意味する。a軸に沿ったCDのトラッピング角は,c軸に沿ったCDと比較して非常に狭く(~5.8°),他のab相関PCとほぼ一致した。a軸に沿ったCDの小さなトラッピング角は,B||ab周辺の楕円コアをもつ磁束線の強い線張力エネルギーに起因する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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信号理論 
タイトルに関連する用語 (4件):
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