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J-GLOBAL ID：201902251112523610   整理番号：19A2223860

高効率のシリコン太陽電池のためのホウ素とリンをドープしたポリシリコン不動態化接触による不純物ゲッタリング【JST・京大機械翻訳】

Impurity Gettering by Boron- and Phosphorus-Doped Polysilicon Passivating Contacts for High-Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells

著者 (9件)： Hayes Maxim (Departement des Technologies Solaires, Universite Grenoble Alpes, INES; CEA, LITEN, 50 avenue du Lac Leman, Le Bourget-du-Lac, F-73375, France) ,  Hayes Maxim (Departement Detection, Rayonnements et Fiabilite, IM2NP UMR CNRS 7334, Aix Marseille Universite, Campus Saint-Jerome, Case 142, Marseille, Cedex, 20 13397, France) ,  Martel Benoit (Departement des Technologies Solaires, Universite Grenoble Alpes, INES; CEA, LITEN, 50 avenue du Lac Leman, Le Bourget-du-Lac, F-73375, France) ,  Alam Giri Wahyu (Departement des Technologies Solaires, Universite Grenoble Alpes, INES; CEA, LITEN, 50 avenue du Lac Leman, Le Bourget-du-Lac, F-73375, France) ,  Alam Giri Wahyu (Centre of Technology for Materials, Agency for the Assessment and Application of Technology, Bldg. 224 PUSPIPTEK, South Tangerang, 15314, Indonesia) ,  Lignier Helene (Departement des Technologies Solaires, Universite Grenoble Alpes, INES; CEA, LITEN, 50 avenue du Lac Leman, Le Bourget-du-Lac, F-73375, France) ,  Dubois Sebastien (Departement des Technologies Solaires, Universite Grenoble Alpes, INES; CEA, LITEN, 50 avenue du Lac Leman, Le Bourget-du-Lac, F-73375, France) ,  Pihan Etienne (Departement des Technologies Solaires, Universite Grenoble Alpes, INES; CEA, LITEN, 50 avenue du Lac Leman, Le Bourget-du-Lac, F-73375, France) ,  Palais Olivier (Departement Detection, Rayonnements et Fiabilite, IM2NP UMR CNRS 7334, Aix Marseille Universite, Campus Saint-Jerome, Case 142, Marseille, Cedex, 20 13397, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 17  ページ： e1900321  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低い接触抵抗率と優れた表面不動態化によるキャリア収集効率の両方を可能にするため,超薄酸化物層上の高ドープポリシリコン(poly-Si)を強調した。高品質単結晶シリコン太陽電池の後部表面におけるそれらの集積は,二重側面接触装置に対して25.7%の記録変換効率を達成することを可能にした。しかし,今までのところ,ポリSi不動態化接触と低品質の安価なシリコンウエハの間の相互作用を調べる研究は非常に少ない。したがって,本研究は,高性能多結晶シリコン上のホウ素(B)とリン(P)の両方のその場ドープしたポリSi不動態化接触の外部ゲッタリング応答に焦点を合わせた。ウエハは5つのインゴット高さから抽出され,P-およびB-ドープポリSi不動態化接触製造プロセスを経験する。次に,バルクキャリア寿命と格子間鉄(Fe_i)濃度を特性化し,従来のPOCl_3とBCl_3熱拡散ステップ,およびカットオフ参照と比較した。PドープポリSi接触作製プロセスは,Fe_iの99%以上のゲッタリングをもたらし,バルクキャリア寿命の増加をもたらした。興味深いことに,BドープしたポリSi接触はまた,実質的な外部ゲッタリング作用を発達させ,バルクからFe_iの96%を除去することを可能にした。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *不動態化 ,  *リン ,  *不純物 ,  相互作用 ,  インゴット ,  キャラクタリゼーション ,  *ホウ素 ,  品質 ,  *ポリシリコン ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  *ゲッタリング
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  結晶シリコン太陽電池 ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 外部ゲッタリング ,  高性能シリコン ,  ポリSi不動態化接触 ,  シリコン太陽電池

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高効率 ,  シリコン太陽電池 ,  ホウ素 ,  リン ,  ドープ ,  ポリシリコン ,  不動態化 ,  不純物 ,  ゲッタリング