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J-GLOBAL ID：201902251290215091   整理番号：19A2564647

低発散角を有する高出力のalgainAs/InP DFBレーザ【JST・京大機械翻訳】

High-Power AlGaInAs/InP DFB Lasers with Low Divergence Angle

著者 (6件)： Liu Yihui (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China; Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Jiankun (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China; Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Huang Yongguang (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China; Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhang Ruikang (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China; Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhu Hongliang (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China; Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Hou Lianping (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, G12 8QQ, U.K.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.31μm付近の波長で動作する低発散角基本横モードをもつ高出力半導体DFBレーザは,アナログやディジタルファイバ通信,WDMポンプ源,分光法,リモートセンシング,自由空間通信,レーザベースレーダ,非線形材料の波長変換など多くの応用がある。これらのデバイスは,光アラインメントとパッケージプロセスを単純化することにより,システムコストを潜在的に低減できる。狭い遠方場パターン(FFP)をもつ素子は,低発散角が結合効率を改善し,素子と単一モードファイバ(SMF)間のアラインメントにおいてより厳しい許容誤差を課すので,簡単で高収率の光学アラインメントにとって非常に望ましい。現在まで,高出力低発散角1.31μm DFBレーザは,より低い特性温度値T_0[3]を持つInGaAsP/InP材料システムに基づいている。ここでは,低発散角をもつ高出力基本横モード1.31μm AlGaInAs/InP DFBレーザを初めて実証し,高い周囲温度での非冷却連続波(CW)動作を可能にした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 遠方場 ,  半導体 ,  単一モードファイバ ,  連続波 ,  *分布帰還形レーザ ,  レーダ ,  アラインメント ,  リモートセンシング ,  波長 ,  通信 ,  簡素化 ,  *リン化インジウム ,  横モード ,  *レーザ
準シソーラス用語： *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 発散 ,  高出力 ,  AlGaInAs ,  InP ,  DFBレーザ