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J-GLOBAL ID:201902251332223886   整理番号:19A0552226

異方性[数式:原文を参照]のバンド構造における価電子バンド極大の位置【JST・京大機械翻訳】

Location of the valence band maximum in the band structure of anisotropic [Formula : see text]
著者 (11件):
資料名:
巻: 97  号: 16  ページ: 165130  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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遷移金属二カルコゲン化物(TMDC)は,可能な技術的応用によるそれらの魅力的な光学的および電子的性質のために,現在の研究の焦点である。[数式:原文を参照]は,その歪んだ[数式:原文を参照]構造([数式:原文を参照])から生じる独特の異方性特性を有するTMDCファミリーの興味深い材料である。光学的および電気的性質の基礎的理解を開発するために,角度分解光電子放出(ARPES)による基礎となる電子構造および密度汎関数理論(DFT)-局所密度近似(LDA)およびgdw近似内のバンド構造計算を研究した。最大価電子帯の最小帯域幅を持つk空間における明確な方向として,軸に垂直な[数式:原文を参照]方向を同定した。光子エネルギー依存ARPESを用いて,高対称点Zにおいて約50meVの実験限界内で二つの価電子バンド最大値を同定し,Brillouin帯において非高対称点において二番目の価電子バンドを同定した。したがって,グローバル価電子帯最大のk空間の位置は実験的に決定されない。理論的に,間接バンドギャップをDFT-LDAレベルで予測したが,準粒子補正はZ点で直接バンドギャップを導いた。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体結晶の電子構造 
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