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J-GLOBAL ID：201902251493113432   整理番号：19A1887978

InAsナノワイヤの発光のウルツ鉱から閃亜鉛鉱への転換に対する臨界温度【JST・京大機械翻訳】

Critical Temperature for the Conversion from Wurtzite to Zincblende of the Optical Emission of InAs Nanowires

著者 (13件)： Rota Michele B. (Dipartimento di Fisica, Sapienza, Universita di Roma, Italy) ,  Ameruddin Amira S. (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Wong-Leung Jennifer (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Belabbes Abderrezak (King Abdullah University of Science & Technology, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Belabbes Abderrezak (Friedrich-Schiller-Universitaet, Institut fuer Festkoerpertheorie und -optik, Germany) ,  Gao Qiang (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Miriametro Antonio (Dipartimento di Fisica, Sapienza, Universita di Roma, Italy) ,  Mura Francesco (Dipartimento di Ingegneria Astronautica, Elettrica ed Energetica, Sapienza Universita di Roma, Italy) ,  Tan Hark Hoe (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Polimeni Antonio (Dipartimento di Fisica, Sapienza, Universita di Roma, Italy) ,  Bechstedt Friedhelm (Friedrich-Schiller-Universitaet, Institut fuer Festkoerpertheorie und -optik, Germany) ,  Jagadish Chennupati (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Capizzi Mario (Dipartimento di Fisica, Sapienza, Universita di Roma, Italy)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 30  ページ： 16650-16656  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300°Cでの1時間のアニーリングは,ウルツ鉱型(WZ)相から閃亜鉛鉱型(ZB)へのInAsナノワイヤ(NW)の発光特性を変化させる。これらの結果は,NW WZ準安定構造の小部分の安定なZB構造への変換によって説明される。第一原理計算を用いて,配置空間におけるポリタイプ変換に向けたいくつかの経路も示した。より低いアニーリング温度では,WZポリタイプに関連すると思われる発光が理論的予測と一致するエネルギーで観測された。これらの結果は,InAs WZ NWから作られたデバイスが露出できる熱プロセスに対する厳しい制約を実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *臨界温度 ,  計算 ,  安定構造 ,  *ヒ化インジウム ,  予測 ,  *閃亜鉛鉱 ,  焼なまし ,  ポリタイプ
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  第一原理計算 ,  発光特性 ,  *ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  ナノワイヤ ,  ウルツ鉱 ,  閃亜鉛鉱 ,  転換 ,  臨界温度