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J-GLOBAL ID：201902251554926840   整理番号：19A1116665

14.7dBm出力電力と18dB電力利得を持つ60GHz SiGe-BiCMOS電力増幅器【JST・京大機械翻訳】

60-GHz SiGe-BiCMOS Power Amplifier With 14.7 dBm Output Power and 18 dB Power Gain

著者 (4件)： Ferchichi Ali (Chair for Circuit Design and Network Theory, Technische Universitaet Dresden, Dresden, 01069, Germany) ,  Rehman Sami Ur (Chair for Circuit Design and Network Theory, Technische Universitaet Dresden, Dresden, 01069, Germany) ,  Carta Corrado (Chair for Circuit Design and Network Theory, Technische Universitaet Dresden, Dresden, 01069, Germany) ,  Ellinger Frank (Chair for Circuit Design and Network Theory, Technische Universitaet Dresden, Dresden, 01069, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： GeMiC  ページ： 229-231  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,60GHz ISMバンドで動作する電力増幅器(PA)を示した。単段カスコードアーキテクチャを用いた。この回路は,0.3mm2の全チップ面積を持つ130nm SiGe BiCMOS技術で作製された。測定した増幅器は18dBの電力利得と14.7dBmの飽和出力パワー(Pすわった)に達し,それは11%のピーク電力付加効率(PAE)に対応した。PAは12dBmの1dB圧縮点(P1dB)を示した。小信号性能に関して,PAは,全体の60GHz ISMバンドをカバーして,54GHzから66GHzまで,17.6dBの小信号電力利得と12GHzの3dB帯域幅を達成した。著者らの最良の知識に対して,提示した増幅器は,報告された単段の単一終端PAの中で最高のPすわったを示し,最低のチップ面積を必要とした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *増幅器 ,  帯域幅 ,  電力付加効率 ,  計算機アーキテクチャ ,  *電力増幅器
準シソーラス用語： チップ面積 ,  カスコード ,  *SiGe BiCMOS ,  *パワーゲイン ,  *出力電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 出力電力 ,  電力利得 ,  SiGe ,  BiCMOS ,  電力増幅器