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J-GLOBAL ID：201902251652139596   整理番号：19A1413887

MgOベース垂直磁気トンネル接合におけるその応用のためのMnAlの第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of MnAl for its application in MgO-based perpendicular magnetic tunnel junctions

著者 (6件)： Zhang Xuan (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Tao L. L. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhang Jia (School of Physics and Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, 430074 Wuhan, China) ,  Liang S. H. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Jiang Leina (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Han X. F. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 25  ページ： 252403-252403-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgOベースの磁気トンネル接合のための磁気電極材料の有望な候補としてのMnAlは,スピン分極Δ_1バンド,比較的低いGil減衰係数,および大きな垂直磁気異方性を含むいくつかの利点を有している。ここでは,MnAl/MgO/MnAl-磁気トンネル接合(MTJ)に関する完全な第一原理研究を報告する。バルク異方性密度は17.39mERg/cm3で,界面異方性寄与はMn及びAl終端構造に対してそれぞれ0.12erg/cm2及び0.44erg/cm2と評価された。大きな異方性はd_yzとd_z2軌道に起因する。さらに,MnAl/MgOの界面上のMn-O結合の形成は垂直異方性の改善に有害であることを示した。一方,巨大ゼロバイアストンネリング磁気抵抗比を予測し,Mn終端MTJに対して0.6Vまでのバイアスに対してさえ2000%以上を維持できた。Mn終端MTJに対する面内スピン移動トルクは,大きな正味スピン分極電流により,0.6Vまでのバイアスで直線的に増加した。本研究は,MnAlベースの垂直磁気トンネル接合の更なる応用の道を開いた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気 ,  減衰定数 ,  *アルミニウム ,  界面 ,  *酸化マグネシウム ,  磁気抵抗 ,  異方性 ,  電極材料 ,  *第一原理 ,  バイアス ,  *マンガン ,  垂直磁気異方性 ,  スピン分極
準シソーラス用語： スピン電流 ,  *磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  垂直 ,  磁気トンネル接合 ,  応用 ,  第一原理 ,  研究