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J-GLOBAL ID：201902251699600481   整理番号：19A1416224

NiFe_2O_x薄膜の電気輸送と光学バンドギャップ【JST・京大機械翻訳】

Electrical transport and optical band gap of NiFe₂O_x thin films

著者 (8件)： Bougiatioti Panagiota (Center for Spinelectronic Materials and Devices, Department of Physics, Bielefeld University, Universitaetsstrasse 25, 33615 Bielefeld, Germany) ,  Manos Orestis (Center for Spinelectronic Materials and Devices, Department of Physics, Bielefeld University, Universitaetsstrasse 25, 33615 Bielefeld, Germany) ,  Klewe Christoph (Center for Spinelectronic Materials and Devices, Department of Physics, Bielefeld University, Universitaetsstrasse 25, 33615 Bielefeld, Germany) ,  Meier Daniel (Center for Spinelectronic Materials and Devices, Department of Physics, Bielefeld University, Universitaetsstrasse 25, 33615 Bielefeld, Germany) ,  Teichert Niclas (Center for Spinelectronic Materials and Devices, Department of Physics, Bielefeld University, Universitaetsstrasse 25, 33615 Bielefeld, Germany) ,  Schmalhorst Jan-Michael (Center for Spinelectronic Materials and Devices, Department of Physics, Bielefeld University, Universitaetsstrasse 25, 33615 Bielefeld, Germany) ,  Kuschel Timo (Center for Spinelectronic Materials and Devices, Department of Physics, Bielefeld University, Universitaetsstrasse 25, 33615 Bielefeld, Germany) ,  Reiss Guenter (Center for Spinelectronic Materials and Devices, Department of Physics, Bielefeld University, Universitaetsstrasse 25, 33615 Bielefeld, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 22  ページ： 225101-225101-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素分圧を変えた反応性dcマグネトロンスパッタリングにより,MgAl_2O_4(001)上にNiFe_2O_x薄膜を作製した。可変酸素欠陥を有する材料の作製は,輸送現象の研究に有益な制御可能な電気的および光学的性質をもたらし,したがって,スピントロニックスおよびスピンカロリトロン応用におけるそのような材料の使用を促進することができる。膜特性を調べるためにいくつかの特性化技術を用い,それらの構造的,磁気的,電気的および光学的性質に焦点を合わせた。電気抵抗率から,高温及び低温領域における系を支配する伝導機構を得た。さらに,外因性輸送機構を明らかにする低熱活性化エネルギーを抽出した。より少ない酸化試料では熱活性化エネルギーが減少し,バンドギャップに局在する大量の電子状態が電気伝導率に顕著に寄与することを明らかにした。Hall係数は負で,n型伝導に対して期待されるように伝導率の増加とともに減少するが,Hallおよびドリフト移動度は大きな差を示す。光学バンドギャップを紫外可視分光法により決定した。それらは熱活性化エネルギーと同様の傾向に従い,より低い酸化試料においてより低いバンドギャップ値を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化 ,  *光学ギャップ ,  *バンドギャップ ,  高温 ,  マグネトロンスパッタリング ,  磁気 ,  *薄膜 ,  薄膜成長 ,  電気抵抗率 ,  低温 ,  電気伝導率 ,  *エレクトロトランスポート ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 伝導率 ,  熱活性化 ,  酸素分圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  電気輸送 ,  光学バンドギャップ