文献

J-GLOBAL ID：201902251768961479   整理番号：19A0661207

垂直二次元黒リンと二硫化モリブデンp-n接合による量子トンネリングの変調【JST・京大機械翻訳】

Modulation of Quantum Tunneling via a Vertical Two-Dimensional Black Phosphorus and Molybdenum Disulfide p-n Junction

著者 (13件)： Liu Xiaochi (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University) ,  Qu Deshun (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University) ,  Li Hua-Min (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, The State University of New York, New York, United States) ,  Moon Inyong (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University) ,  Ahmed Faisal (School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University) ,  Kim Changsik (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University) ,  Lee Myeongjin (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University) ,  Choi Yongsuk (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University) ,  Cho Jeong Ho (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University) ,  Cho Jeong Ho (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University) ,  Hone James C. (Department of Mechanical Engineering, Columbia University, New York, United States) ,  Yoo Won Jong (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University) ,  Yoo Won Jong (School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 9  ページ： 9143-9150  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)黒リン(BP)と二硫化モリブデン(MoS_2)ヘテロ接合において,多様なダイオード特性が観察された。逆整流ダイオード,Zenerダイオード,および順整流ダイオードの特性を,BPフレークまたはバックゲート変調の厚さ変調を通してヘテロ接合から得た。さらに,負の微分抵抗に対する前駆体を有するトンネルダイオードを,トップゲート誘電体材料として固体高分子電解質層を有する二重ゲートを適用することによって実現することができた。興味深いことに,55mV/decの急峻なサブ閾値スイングがトップゲート2D BP-MoS_2接合において達成された。著者らの簡単なデバイスアーキテクチャと化学ドーピングフリー処理は,デバイス品質を保証した。本研究は,2D半導体ヘテロ構造におけるトンネリングの基礎を理解し,集積低電力回路における将来の応用において大きな可能性を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Zenerダイオード ,  フレーク ,  *二次元 ,  *黒リン ,  半導体 ,  *トンネル効果 ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  誘電材料 ,  *接合
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  二重ゲート ,  トップゲート ,  バックゲート ,  *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2Dヘテロ接合 ,  多様な機能ダイオード ,  トンネルトランジスタ ,  黒リン ,  二硫化モリブデン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  黒リン ,  二硫化モリブデン ,  p-n接合 ,  量子トンネリング ,  変調