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J-GLOBAL ID：201902251792722726   整理番号：19A0440832

金属箔と多結晶Si基板上に成長させたGaN系ナノ結晶の形態の違い【JST・京大機械翻訳】

Differences in Morphologies of GaN-Based Nanocrystals Grown on Metal-Foils and Multi-Crystalline Si Substrates

著者 (4件)： Sato Yuichi (Akita University, Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita, Japan) ,  Fujiwara Atomu (Akita University, Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita, Japan) ,  Trung Nguyen Duc (Akita University, Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita, Japan) ,  Saito Sora (Akita University, Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita, Japan)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 941  ページ： 2109-2114  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)系薄膜はそのナノ結晶から成り,いくつかの金属箔と多結晶シリコン(Si)基板上に成長させた。それらの形態を互いに比較し,その違いを考察した。多結晶Si基板上に成長させた膜ではピラー形のナノ結晶が観察されたが,高い成長温度で成長させると金属箔上に成長させた膜ではそのような構造は観測されなかった。一方,成長温度を低下させることにより,金属箔上に成長させた膜の形態はピラー状構造に近づいた。還元成長温度で金属箔上に成長させた膜の陰極線ルミネセンススペクトルにおいてバンド端発光を明確に観測した。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *基板 ,  *金属箔 ,  薄膜 ,  *ナノ結晶 ,  発光スペクトル ,  *窒化ガリウム ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： バンド端発光 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InGaN ,  ナノ結晶 ,  多結晶Si ,  GaN ,  金属箔

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属箔 ,  多結晶 ,  Si基板 ,  成長 ,  GaN ,  ナノ結晶 ,  形態