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J-GLOBAL ID：201902251840149157   整理番号：19A1903205

InSb-ZnO:Geナノ複合材料薄膜:一段階合成,構造,光学,電気特性【JST・京大機械翻訳】

InSb-ZnO:Ge nanocomposite thin films: One-step synthesis, structural, optical, and electrical properties

著者 (1件)： Abe Seishi (Research Institute for Electromagnetic Materials, Narita 9-5-1, Miyagi 981-3341, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 7  ページ： 075110-075110-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeをドープしたZnO中に埋め込まれたInSbナノ結晶を有する複合薄膜の一段階合成を研究した。膜は,InSbとGeチップを有するセラミックZnOディスクのターゲットを用いて高周波スパッタリングにより水冷基板上に堆積させ,その後真空中で熱処理した。複合材料はInSbナノ結晶の存在により光吸収端のシフトを示した。エネルギー分散X線顕微鏡を用いた元素マッピングは,添加GeがZnO中に選択的に位置することを明らかにした。ZnO中のGeの溶解度限界は873Kのアニーリング温度で2at.%であった。複合材料の電気抵抗は,Geドーピングにより773Kのアニーリング温度で6.6×10~3Ωcmに減少した。従って,ZnOへのInSbとGeの同時添加は,光吸収シフトと比較的低い電気抵抗率の異なる機能性を提供した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光吸収 ,  *ナノ複合材料 ,  *電気特性 ,  電気抵抗率 ,  *複合材料 ,  ナノ結晶 ,  *酸化亜鉛 ,  *アンチモン化インジウム ,  水冷 ,  セラミック ,  *ゲルマニウム ,  *薄膜 ,  円板 ,  ドーピング
準シソーラス用語： アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (8件)： InSb ,  ZnO ,  Ge ,  ナノ複合材料 ,  薄膜 ,  一段階合成 ,  光学 ,  電気特性