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J-GLOBAL ID：201902252089408487   整理番号：19A1001208

二軸歪と電場下の単層SnSe_2の第一原理研究:電子特性の変調【JST・京大機械翻訳】

First principles study of single-layer SnSe₂ under biaxial strain and electric field: Modulation of electronic properties

著者 (14件)： Hien Nguyen D. (Laboratory of Magnetism and Magnetic Materials, Advanced Institute of Materials Science, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Hien Nguyen D. (Faculty of Applied Sciences, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Cuong Nguyen Q. (Department of Physics, University of Education, Hue University, Hue, Viet Nam) ,  Bui Le M. (NTT Hi-Tech Institute, Nguyen Tat Thanh University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Bui Le M. (Center of Excellence for Green Energy and Environmental Nanomaterials (CE@GrEEN), Nguyen Tat Thanh University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Dinh Pham C. (School of Materials Science and Technology, Hanoi University of Science and Technology, Ha Noi, 100000, Viet Nam) ,  Nguyen Chuong V. (Department of Materials Science and Engineering, Le Quy Don Technical University, Ha Noi, 100000, Viet Nam) ,  Phuc Huynh V. (Division of Theoretical Physics, Dong Thap University, Dong Thap, 870000, Viet Nam) ,  Hieu Nguyen V. (Physics Department, University of Education, The University of Da Nang, Da Nang, 550000, Viet Nam) ,  Jappor Hamad R. (Department of Physics, College of Education for Pure Sciences, University of Babylon, Hilla, Iraq) ,  Phuong Le T.T. (Department of Physics, University of Education, Hue University, Hue, Viet Nam) ,  Hoi Bui D. (Department of Physics, University of Education, Hue University, Hue, Viet Nam) ,  Nhan Le C. (Department of Environmental Science, Saigon University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Hieu Nguyen N. (Institute of Research and Development, Duy Tan University, Da Nang, 550000, Viet Nam)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 111  ページ： 201-205  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,密度関数理論を用いて単層SnSe_2の電子特性に及ぼす歪工学と電場の影響を系統的に調べた。計算結果は,単層SnSe2が平衡状態で0.715eVの小さなバンドギャップをもつ半導体であることを示した。Fermi準位近傍の電子状態は主にSn-dとSe-p軌道によって寄与され,特に価電子帯へのSe-p軌道の寄与が支配的である。二軸歪の下で,単層SnSe_2のバンドギャップは異常に変化した。圧縮二軸歪はバンドギャップを急速に減少させたが,単層SnSe_2のバンドギャップは引張二軸歪を増加させるとわずかに増加した。歪依存性ケースと対照的に,単層SnSe_2の電子特性に及ぼす外部電場の影響は非常に小さく,単層SnSe_2のエネルギーギャップは垂直電場の方向に依存しなかった。著者らの計算結果は,ナノ電子デバイスにおける単層SnSe_2の応用可能性に関するより多くの情報を提供することができた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  *電場 ,  引張 ,  平衡状態 ,  電子状態 ,  バンドギャップ ,  密度汎関数法 ,  *単一層 ,  価電子バンド ,  *第一原理 ,  高速度 ,  半導体
準シソーラス用語： 外部電場 ,  歪依存性 ,  *二軸ひずみ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単層SnSe_2 ,  電場 ,  二軸歪 ,  バンドギャップ ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二軸歪 ,  電場 ,  単層 ,  第一原理 ,  研究 ,  電子 ,  変調