文献
J-GLOBAL ID:201902252143882816   整理番号:19A0660377

「炭素欠乏」金属電極上のグラフェンの摂取と再成長【JST・京大機械翻訳】

Graphene Ingestion and Regrowth on “Carbon-Starved” Metal Electrodes
著者 (7件):
資料名:
巻: 11  号: 10  ページ: 10575-10582  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
グラフェンと種々の金属間の相互作用は,将来の炭素系デバイスと合成技術において中心的役割を果たす。ここでは,3つの異なるタイプの金属ナノ電極(W,Ni,Au)を用いて,高分解能透過型電子顕微鏡におけるグラフェン-金属界面速度論挙動をその場研究した。3つの金属は,加熱電流によって駆動されたとき,グラフェンと明確に異なる相互作用を示した。タングステンチップは,最も炭素欠乏のもので,グラフェンシートを連続的に取り込むことができる。ニッケルチップ,より少ない炭素飢餓,典型的には,その端部から「咬合」を取ることによってのみ,典型的に「食べる」グラフェン;しかし,金は,その溶融状態においてさえ,すべてグラフェンと非活性である。摂取されたグラフェン原子は最終的に触媒WとNi電極をカプセル化する新たに形成されたグラファイトシェルとして析出する。特に,W電極上でのこの過程の原子スケール観察による周期的な拡張/厚化グラフェン成長シナリオを提案した。そこでは,基礎となる炭化タングステン(WC)の伝搬が成長動力学を支配する。本研究は,デバイス性能と安定性を厳しく劣化させる種々のグラフェン/金属界面における炭素拡散/偏析過程の複雑さを明らかにした。また,それは,効率的で実用的なグラフェン合成ルートの開発において重要なsp2炭素触媒成長の詳細で洞察の深い理解を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る