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J-GLOBAL ID：201902252209842654   整理番号：19A0660371

原子スケール極限での結晶相スイッチングによる電子構造変化【JST・京大機械翻訳】

Electronic Structure Changes Due to Crystal Phase Switching at the Atomic Scale Limit

著者 (8件)： Knutsson Johan Valentin (Department of Physics & NanoLund, Lund University, Sweden) ,  Lehmann Sebastian (Department of Physics & NanoLund, Lund University, Sweden) ,  Hjort Martin (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Lundgren Edvin (Department of Physics & NanoLund, Lund University, Sweden) ,  Dick Kimberly A. (Department of Physics & NanoLund, Lund University, Sweden) ,  Dick Kimberly A. (Center for Analysis and Synthesis, Lund University, Sweden) ,  Timm Rainer (Department of Physics & NanoLund, Lund University, Sweden) ,  Mikkelsen Anders (Department of Physics & NanoLund, Lund University, Sweden)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 10  ページ： 10519-10528  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-Vナノワイヤにおける異なる電子構造をもつ結晶相間の完全なスイッチングにより,単一原子層のみをもつ量子井戸をもつ超構造の設計が可能になった。しかし,電子構造が最小の可能な結晶セグメントまでどのように変化するかを間接的に推論した。低温走査トンネル顕微鏡法と分光法を用いて,原子スケール精度を持つウルツ鉱(Wz)InAsナノワイヤ中のZinc閃亜鉛鉱(Zb)セグメントの電子構造を直接調べた。バンド構造の主な特徴は単一原子層準位まで急激に変化することを見出した。最小の可能性のあるZbセグメントに対して,伝導と価電子バンド側の両方で異なるZb電子構造の特徴が観測された。Zbのより小さいバンドギャップによる結晶セグメント量子井戸の形成を示す単一および二重二層Zbセグメントの両方の領域における閉じ込め状態の証拠をWzと比較して見出した。ナノワイヤの内部電子構造とは対照的に,バンドギャップに位置する表面状態は,最小のZbセグメントの存在によりわずかに影響されることが分かった。著者らの発見は,量子閉じ込め構造の原子論的バンド構造工学の極限限界に対する結晶相スイッチングの実現可能性を直接実証した。さらに,バルクに対して得られたバンドギャップ値は最小結晶セグメントに対してさえも合理的であることを示した。しかし,表面と界面状態の抑制が将来の電子デバイスのエンジニアリングにこの効果を利用するのに必要であることも分かった。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  ナノワイヤ ,  閃亜鉛鉱 ,  スペクトロスコピー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  量子井戸 ,  *結晶 ,  価電子バンド ,  *スイッチング ,  低温 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 二層 ,  超構造 ,  単一原子 ,  *原子スケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： ナノワイヤ ,  電子構造 ,  結晶相 ,  InAs ,  ウルツ鉱 ,  STM/S ,  閃亜鉛鉱

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子スケール ,  極限 ,  結晶相 ,  スイッチング ,  電子構造