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J-GLOBAL ID：201902252472001190   整理番号：19A0912284

p-i-n電子ブロッキング層を持つInGaN/GaN発光ダイオードの効率増強【JST・京大機械翻訳】

Efficiency enhancement of InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-i-n electron blocking layer

著者 (5件)： Wang Jun (The 38th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp. (China)) ,  Guo Jin (The 38th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp. (China)) ,  Feng Junbo (The 38th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp. (China)) ,  Wang Guosheng (The 38th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp. (China)) ,  Xie Feng (The 38th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp. (China))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10843  ページ： 1084305-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電子閉込めを増強し,正孔注入効率を改善するために,エピタクシーで実現しやすいp-i-n AlGaN EBLを提案した。従来のEBLを用いたGaN系MQW LEDの物理的および光学的性質も比較検討した。シミュレーション結果は,p-i-n EBLを有するLEDが,p-i-n EBLにおける強い逆静電場により誘起されるp型領域からの正孔注入の改善と電子閉込めの増強により,従来のEBLと比較してはるかに高い出力パワーとより小さい効率低下を示すことを示した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *発光ダイオード ,  シミュレーション ,  光学的性質 ,  静電場 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 性能劣化 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  正孔注入 ,  電子閉じ込め ,  *InGaN ,  *電子ブロック層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子ブロッキング層 ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード ,  増強