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J-GLOBAL ID：201902252485199114   整理番号：19A0514796

側壁チャンファー構造を用いた高電圧発光ダイオードの増強光抽出【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Light Extraction of High-Voltage Light Emitting Diodes Using a Sidewall Chamfer Structure

著者 (4件)： Wu Ping-Chen (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan, R.O.C.) ,  Ou Sin-Liang (Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua, Taiwan, R.O.C.) ,  Horng Ray-Hua (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Wuu Dong-Sing (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan, R.O.C.)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 3  ページ： ROMBUNNO.8201409.1-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧発光ダイオード(HV-LED)を4つの・2マイクロセルで調製した。各セルの側壁にウェットエッチングした面取り構造を用いることにより,HV-LEDの光抽出を増強するための新しい技術を提案した。用いたu-GaN層の厚さは3~7μmの範囲であった。シミュレーションは,面取り構造を有するHV-LEDの光抽出が,u-GaN厚さの増加によって強化されることを明らかにした。面取り構造のないHV-LEDの出力パワー(@80mA)は,538.0~539.1mWであった。しかしながら,面取り構造を持つHV-LEDと3,5,7μmのu-GaN厚さの出力パワー(@80mA)は,それぞれ555.3,573.1,および561.6mWに増加した。7μmの厚さのu-GaN層は,HV-LEDエピタキシャル構造の非常に大きな厚さをもたらし,それは湿式エッチング過程の間に困難を引き起こした。GaNの湿式エッチング速度の明らかな減少のために,7μm厚のu-GaNを有するHV-LEDのエピタキシャル構造への損傷はより明白であった。したがって,装置の光抽出はわずかに減少した。結果は,特に5μmのu-GaN厚さに対して,面取り構造がHV-LEDの性能を改善するために非常に有用であることを確認した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  ウェットエッチング ,  窒化ガリウム ,  *発光ダイオード
準シソーラス用語： マイクロセル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 側壁 ,  チャンファー ,  高電圧 ,  発光ダイオード ,  増強