文献

J-GLOBAL ID：201902252488022405   整理番号：19A1063363

YBr_3の二次元固体電解質による単分子層MOS_2のキャリアドーピング戦略の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved carrier doping strategy of monolayer MoS₂ through two-dimensional solid electrolyte of YBr₃

著者 (11件)： Wu Maokun (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Liu Pan (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Xin Baojuan (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Li Luyan (School of Science, Shandong Jianzhu University, Jinan 250101, People’s Republic of China) ,  Dong Hong (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Cheng Yahui (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Wang Weichao (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Lu Feng (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Cho Kyeongjae (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Wang Wei-Hua (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Liu Hui (Department of Electronic Science and Engineering, and Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 17  ページ： 171601-171601-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピングは半導体の電子状態を調節し,その関連する素子性能を改善するための効果的な戦略である。ここでは,単層MoS_2上へのキャリアドーピングを実現するために,YBr_3の現実的な単分子層二次元固体電解質材料を提案した。MoS_2/YBr_3ヘテロ構造に基づくYBr_3を通してのLi-,Na-,K-,Ca-,およびF-ドープ単分子層MoS_2の安定性,キャリアドーピング効果,および電子構造を第一原理計算を利用することによって探究した。YBr_3層の挿入は,結合エネルギーと電子構造を調べることにより,n型またはp型半導体として単層MoS_2を作製する際の安定性とキャリアドーピング効果を改善する。より顕著に,深い不純物エネルギーバンドはMoS_2のバンドギャップ内に導入されなかった。さらに,MoS_2の仕事関数は,ドーピングによって引き起こされた電荷移動と電荷再分布のために,3.59eVから6.58eVまでの範囲で操作できる。これらの知見は,単層MoS_2のn-およびp-型ドーピングの両方を達成するための効果的で有望なルートを提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  不純物 ,  電子状態 ,  バンドギャップ ,  単一層 ,  仕事関数 ,  *固体電解質 ,  *単分子層 ,  *二次元 ,  電荷移動 ,  *ドーピング ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  ヘテロ構造 ,  *キャリアドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 固体電解質 ,  単分子層 ,  キャリアドーピング ,  戦略