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J-GLOBAL ID：201902252517617921   整理番号：19A0898635

エピタキシャルNbN膜厚の超伝導依存性【JST・京大機械翻訳】

Superconductivity Dependence on Epitaxial NbN Film Thickness

著者 (5件)： Zhang Qiyu (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Wang Huiwu (Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Tang Xin (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Peng Wei (Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Wang Zhen (Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 29  号： 5  ページ： ROMBUNNO.7500305.1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連のNbN膜(2.2~200nm厚)を,反応性dcマグネトロンスパッタリングを用いて(100)配向単結晶MgO基板上にエピタキシャル成長させた。膜厚が減少するにつれて,超伝導臨界温度(T_C)と残留抵抗比は両方とも減少し,正常状態抵抗率は増加したが,ゼロ温度コヒーレンス長は基本的に変化しなかった。さらに,T_Cと20Kでの正常状態抵抗率の間に負の線形関係が存在した。Hall効果測定により,最高のT_C(16.63K)を示す200nm厚NbN膜のキャリア密度は,最低のT_C(9.28K)を示す2.2nm厚NbN膜に向かって,1.12から10~22e/cm-3に減少した。強結合超伝導体に対するMcMillan理論を用いてデータを当てはめることにより,NbN膜のT_Cを厚さ依存キャリア密度から直接決定した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コヒーレンス長 ,  単結晶 ,  *超伝導 ,  Hall効果 ,  電気抵抗率 ,  反応性 ,  *膜厚 ,  マグネトロンスパッタリング ,  線形性 ,  キャリア密度 ,  酸化マグネシウム ,  残留抵抗 ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： 超伝導転移温度 ,  *NbN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  通信方式一般  (ND07010E)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  NbN ,  膜厚 ,  伝導 ,  依存性